Eigenschaften der Siliziumepitaxie

Die Eigenschaften der Siliziumepitaxie sind wie folgt:

Hohe Reinheit: Die durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD) gewachsene Silizium-Epitaxieschicht weist eine extrem hohe Reinheit, eine bessere Oberflächenebenheit und eine geringere Defektdichte als herkömmliche Wafer auf.

Gleichmäßigkeit der Dünnschicht: Siliziumepitaxie kann bei einer bestimmten garantierten Wachstumsrate eine sehr gleichmäßige Dünnschicht bilden. Gleichzeitig kann eine gleichmäßige Erwärmung erreicht werden, wodurch Kristallstrukturfehler reduziert und die Qualität des Kristalls verbessert werden.

Starke Steuerbarkeit: Die Siliziumepitaxie-Technologie kann die Morphologie, Größe und Struktur von Siliziummaterialien genau steuern und komplexe Kristallstrukturen wie mehrschichtige Heteroübergänge züchten.

Großer Wafer-Durchmesser: Mit der Silizium-Epitaxie-Wachstumstechnologie können Silizium-Wafer mit großem Durchmesser gezüchtet werden, und die Fähigkeit, Silizium-Wafer mit großem Durchmesser herzustellen, ist für die Produktion von Halbleitern von entscheidender Bedeutung.

Prozesssicherheit: Der Silizium-Epitaxieprozess kann viele Male wiederverwendet werden, was für die Massenproduktion von Halbleiterbauelementen von großer Bedeutung ist.