Suszeptor für schnelle thermische Ausheilung

VeTek Semiconductor Rapid Thermal Annealing Susceptor zeichnet sich durch hohe Qualität und lange Lebensdauer aus. Fragen Sie uns gerne an.

Das Rapid Thermal Anneal (RTA) ist ein wichtiger Teilbereich der Rapid Thermal Processing, die bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen eingesetzt wird. Dabei werden einzelne Wafer erhitzt, um ihre elektrischen Eigenschaften durch verschiedene gezielte Wärmebehandlungen zu verändern. Der RTA-Prozess ermöglicht die Aktivierung von Dotierstoffen, die Veränderung von Film-zu-Film- oder Film-zu-Wafer-Substratschnittstellen, die Verdichtung abgeschiedener Filme, die Änderung gewachsener Filmzustände, die Reparatur von Ionenimplantationsschäden, die Bewegung von Dotierstoffen und das Treiben von Dotierstoffen zwischen Filmen oder in das Wafersubstrat.

Das Produkt von VeTek Semiconductor, der Rapid Thermal Annealing Susceptor, spielt eine entscheidende Rolle im RTP-Prozess. Es besteht aus hochreinem Graphitmaterial mit einer Schutzbeschichtung aus inertem Siliziumkarbid (SiC). Das SiC-beschichtete Siliziumsubstrat hält Temperaturen von bis zu 1100 °C stand und gewährleistet so eine zuverlässige Leistung auch unter extremen Bedingungen. Die SiC-Beschichtung bietet hervorragenden Schutz gegen Gasaustritt und Partikelabwurf und gewährleistet so die Langlebigkeit des Produkts.

Um eine präzise Temperaturkontrolle zu gewährleisten, ist der Chip zwischen zwei hochreinen, mit SiC beschichteten Graphitkomponenten eingekapselt. Genaue Temperaturmessungen können durch integrierte Hochtemperatursensoren oder Thermoelemente im Kontakt mit dem Substrat erzielt werden.

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung:

VeTek Halbleiterproduktionswerkstatt

Überblick über die Industriekette der Halbleiterchip-Epitaxie: