MOCVD-Suszeptor mit TaC-Beschichtung

VeTek Semiconductor ist ein führender chinesischer Hersteller, Lieferant und Exporteur, der sich auf MOCVD-Suszeptoren mit TaC-Beschichtung spezialisiert hat. Sie sind herzlich willkommen, in unsere Fabrik zu kommen, um die neuesten, preisgünstigsten und qualitativ hochwertigsten MOCVD-Suszeptoren mit TaC-Beschichtung zu kaufen. Wir freuen uns auf die Zusammenarbeit mit Ihnen.

Die LED-Epitaxie steht vor Herausforderungen wie Kristallqualitätskontrolle, Materialauswahl und -anpassung, Strukturdesign und -optimierung, Prozesskontrolle und -konsistenz sowie Lichtextraktionseffizienz. Die Wahl des richtigen Epitaxie-Wafer-Trägermaterials ist von entscheidender Bedeutung, und die Beschichtung mit einem Tantalcarbid (TaC)-Dünnfilm (TaC-Beschichtung) bietet zusätzliche Vorteile.

Bei der Auswahl eines Epitaxie-Wafer-Trägermaterials müssen mehrere Schlüsselfaktoren berücksichtigt werden:

Temperaturtoleranz und chemische Stabilität: LED-Epitaxieprozesse erfordern hohe Temperaturen und können den Einsatz von Chemikalien erfordern. Daher ist es notwendig, Materialien mit guter Temperaturtoleranz und chemischer Stabilität zu wählen, um die Stabilität des Trägers in Hochtemperatur- und chemischen Umgebungen sicherzustellen.

Oberflächenebenheit und Verschleißfestigkeit: Die Oberfläche des Epitaxie-Waferträgers sollte eine gute Ebenheit aufweisen, um einen gleichmäßigen Kontakt und ein stabiles Wachstum des Epitaxie-Wafers zu gewährleisten. Darüber hinaus ist die Verschleißfestigkeit wichtig, um Oberflächenschäden und Abrieb zu verhindern.

Wärmeleitfähigkeit: Die Wahl eines Materials mit guter Wärmeleitfähigkeit trägt dazu bei, die Wärme effektiv abzuleiten, eine stabile Wachstumstemperatur für die Epitaxieschicht aufrechtzuerhalten und die Prozessstabilität und -konsistenz zu verbessern.

In dieser Hinsicht bietet die Beschichtung des Epitaxie-Waferträgers mit TaC folgende Vorteile:

Hochtemperaturstabilität: Die TaC-Beschichtung weist eine ausgezeichnete Hochtemperaturstabilität auf, sodass sie ihre Struktur und Leistung während Hochtemperatur-Epitaxieprozessen beibehält und eine hervorragende Temperaturtoleranz bietet.

Chemische Stabilität: Die TaC-Beschichtung ist beständig gegen Korrosion durch gängige Chemikalien und Atmosphären, schützt den Träger vor chemischem Abbau und erhöht seine Haltbarkeit.

Härte und Verschleißfestigkeit: Die TaC-Beschichtung verfügt über eine hohe Härte und Verschleißfestigkeit, wodurch die Oberfläche des Epitaxie-Waferträgers gestärkt, Schäden und Verschleiß reduziert und seine Lebensdauer verlängert werden.

Wärmeleitfähigkeit: Die TaC-Beschichtung weist eine gute Wärmeleitfähigkeit auf, was die Wärmeableitung unterstützt, eine stabile Wachstumstemperatur für die Epitaxieschicht aufrechterhält und die Prozessstabilität und -konsistenz verbessert.

Daher trägt die Wahl eines Epitaxie-Waferträgers mit einer TaC-Beschichtung dazu bei, die Herausforderungen der LED-Epitaxie zu bewältigen und den Anforderungen von Hochtemperatur- und chemischen Umgebungen gerecht zu werden. Diese Beschichtung bietet Vorteile wie Hochtemperaturstabilität, chemische Stabilität, Härte und Verschleißfestigkeit sowie Wärmeleitfähigkeit und trägt zu einer verbesserten Leistung, Lebensdauer und Produktionseffizienz des Epitaxie-Waferträgers bei.

Grundlegende physikalische Eigenschaften der TaC-Beschichtung:

VeTek Halbleiterproduktionswerkstatt

Überblick über die Industriekette der Halbleiterchip-Epitaxie: