Die PSS-Ätzträgerplatte für Halbleiter von VeTek Semiconductor ist ein hochwertiger, hochreiner Graphitträger, der für Wafer-Handhabungsprozesse entwickelt wurde. Unsere Träger verfügen über eine hervorragende Leistung und können auch in rauen Umgebungen, hohen Temperaturen und rauen chemischen Reinigungsbedingungen gute Dienste leisten. Unsere Produkte sind in vielen europäischen und amerikanischen Märkten weit verbreitet und wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.
Als professioneller Hersteller möchten wir Ihnen hochwertige PSS-Ätzträgerplatten für Halbleiter anbieten. Die PSS-Ätzträgerplatte für Halbleiter von VeTek Semiconductor ist eine spezielle Komponente, die in der Halbleiterindustrie für den Prozess der Plasmaquellenspektroskopie (PSS)-Ätzung verwendet wird. Diese Platte spielt eine entscheidende Rolle beim Stützen und Tragen der Halbleiterwafer während des Ätzprozesses. Willkommen bei uns!
Präzises Design: Die Trägerplatte ist mit präzisen Abmessungen und Oberflächenebenheit konstruiert, um eine gleichmäßige und gleichmäßige Ätzung auf den Halbleiterwafern zu gewährleisten. Es bietet eine stabile und kontrollierte Plattform für die Wafer und ermöglicht genaue und zuverlässige Ätzergebnisse.
Plasmabeständigkeit: Die Trägerplatte weist eine hervorragende Beständigkeit gegenüber dem beim Ätzprozess verwendeten Plasma auf. Es bleibt von den reaktiven Gasen und dem hochenergetischen Plasma unbeeinflusst und gewährleistet so eine längere Lebensdauer und konstante Leistung.
Wärmeleitfähigkeit: Die Trägerplatte verfügt über eine hohe Wärmeleitfähigkeit, um die beim Ätzprozess entstehende Wärme effizient abzuleiten. Dies trägt zur Aufrechterhaltung einer optimalen Temperaturkontrolle bei und verhindert eine Überhitzung der Halbleiterwafer.
Kompatibilität: Die PSS-Ätzträgerplatte ist so konzipiert, dass sie mit verschiedenen in der Industrie gebräuchlichen Halbleiterwafergrößen kompatibel ist und so Vielseitigkeit und Benutzerfreundlichkeit bei verschiedenen Herstellungsprozessen gewährleistet.
Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung | |
Eigentum | Typischer Wert |
Kristallstruktur | Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert |
Dichte | 3,21 g/cm³ |
Härte | 2500 Vickers-Härte (500 g Belastung) |
Körnung | 2~10μm |
Chemische Reinheit | 99,99995 % |
Wärmekapazität | 640 J·kg-1·K-1 |
Sublimationstemperatur | 2700℃ |
Biegefestigkeit | 415 MPa RT 4-Punkt |
Elastizitätsmodul | 430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃ |
Wärmeleitfähigkeit | 300W·m-1·K-1 |
Wärmeausdehnung (CTE) | 4,5×10-6K-1 |