Der SiC-beschichtete ICP-Ätzträger von VeTek Semiconductor wurde für die anspruchsvollsten Epitaxiegeräteanwendungen entwickelt. Unser SiC-beschichteter ICP-Ätzträger besteht aus hochwertigem, hochreinem Graphitmaterial und verfügt über eine äußerst ebene Oberfläche und eine hervorragende Korrosionsbeständigkeit, um den rauen Bedingungen während der Handhabung standzuhalten. Die hohe Wärmeleitfähigkeit des SiC-beschichteten Trägers gewährleistet eine gleichmäßige Wärmeverteilung für hervorragende Ätzergebnisse. VeTek Semiconductor freut sich auf den Aufbau einer langfristigen Partnerschaft mit Ihnen.
Mit jahrelanger Erfahrung in der Produktion von SiC-beschichteten ICP-Ätzträgern kann VeTek Semiconductor eine breite Palette davon liefernSiC-beschichtetoderTaC-beschichtetErsatzteile für die Halbleiterindustrie. Zusätzlich zur Produktliste unten können Sie auch Ihre eigenen einzigartigen SiC-beschichteten oder TaC-beschichteten Teile entsprechend Ihren spezifischen Anforderungen anpassen. Gerne können Sie uns eine Anfrage stellen.
Die SiC-beschichteten ICP-Ätzträger von VeTek Semiconductor, auch bekannt als ICP-Träger, PSS-Träger, RTP-Träger oder RTP-Träger, sind wichtige Komponenten, die in einer Vielzahl von Anwendungen in der Halbleiterindustrie eingesetzt werden. Für die Herstellung dieser Stromträger wird hauptsächlich siliziumkarbidbeschichteter Graphit verwendet. Es verfügt über eine hohe Wärmeleitfähigkeit, mehr als das Zehnfache der Wärmeleitfähigkeit von Saphirsubstraten. Diese Eigenschaft hat in Kombination mit der hohen elektrischen Feldstärke und der maximalen Stromdichte zur Erforschung von Siliziumkarbid als potenziellem Ersatz für Silizium in einer Vielzahl von Anwendungen, insbesondere in Halbleiter-Hochleistungskomponenten, geführt. SiC-Stromträgerplatten verfügen über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und sind daher ideal fürLED-Herstellungsprozesse.
Sie sorgen für eine effiziente Wärmeableitung und bieten eine hervorragende elektrische Leitfähigkeit und tragen so zur Produktion von Hochleistungs-LEDs bei. Darüber hinaus zeichnen sich diese Trägerplatten durch hervorragende Eigenschaften ausPlasmaresistenzund eine lange Lebensdauer, die eine zuverlässige Leistung und Lebensdauer in der anspruchsvollen Halbleiterfertigungsumgebung gewährleistet.
Grundlegende physikalische Eigenschaften vonCVD-SiC-Beschichtung | |
Eigentum | Typischer Wert |
Kristallstruktur | Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert |
Dichte | 3,21 g/cm³ |
Härte | 2500 Vickers-Härte (500 g Belastung) |
Körnung | 2~10μm |
Chemische Reinheit | 99,99995 % |
Wärmekapazität | 640 J·kg-1·K-1 |
Sublimationstemperatur | 2700℃ |
Biegefestigkeit | 415 MPa RT 4-Punkt |
Elastizitätsmodul | 430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃ |
Wärmeleitfähigkeit | 300W·m-1·K-1 |
Wärmeausdehnung (CTE) | 4,5×10-6K-1 |