Ultrareines Siliziumkarbidpulver für das Kristallwachstum

Als professioneller Hersteller möchte VeTek Semiconductor Ihnen hochwertiges ultrareines Siliziumkarbidpulver für das Kristallwachstum anbieten.

VeTek Semiconductor ist auf die Bereitstellung von hochreinem Siliziumkarbidpulver für das Kristallwachstum mit unterschiedlichen Reinheitsgraden spezialisiert. Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr zu erfahren und ein Angebot zu erhalten. Steigern Sie Ihre Halbleiterforschung und -entwicklung mit den hochwertigen Produkten von VeTek Semiconductor.

Das ultrareine Siliziumkarbidpulver von VeTek Semiconductor für das Kristallwachstum wird mithilfe einer Hochtemperatur-Festphasenreaktionsmethode hergestellt, bei der hochreines Siliziumpulver und hochreines Kohlenstoffpulver als Rohstoffe verwendet werden. Mit einer Reinheit von bis zu 99,999 Gew.-% und einem extrem geringen Verunreinigungsgrad von Stickstoff, Bor, Aluminium und anderen Verunreinigungen ist es speziell darauf ausgelegt, die halbisolierenden Eigenschaften von hochreinem Siliziumkarbid zu verbessern.

Die Reinheit unseres Siliziumkarbidpulvers in Halbleiterqualität erreicht beeindruckende 99,999 %, was es zu einem hervorragenden Rohstoff für die Herstellung von Siliziumkarbid-Einkristallen macht. Was unser Produkt von anderen auf dem Markt unterscheidet, ist seine bemerkenswerte Eigenschaft des Hochgeschwindigkeitskristallwachstums. Mit Kristallwachstumsraten von 0,2 bis 0,3 mm/h wird die Kristallwachstumszeit erheblich verkürzt und die Gesamtproduktionskosten gesenkt.

Die Qualität von Siliziumkarbidpulver ist entscheidend für die Erzielung einer hohen Kristallwachstumsausbeute und erfordert präzise Herstellungsprozesse. Unsere Technologie umfasst eine thermische Trennung in verschiedenen Stufen, um Verunreinigungen mit unterschiedlichen Eigenschaften zu entfernen. Das Ergebnis ist ein hochreines halbisolierendes Siliziumkarbidpulver mit niedrigem Stickstoffgehalt. Durch die Weiterverarbeitung des Pulvers zu Granulat und den Einsatz thermischer Zyklentechniken erfüllen wir die Dimensionswachstumsanforderungen von Siliziumkarbidkristallen. Diese Technologie zielt darauf ab, die inländischen Forschungskapazitäten für fortschrittliche Halbleiter zu verbessern, die Materialautarkie zu verbessern, internationale Monopole anzugehen und die Herstellungskosten in der inländischen Siliziumkarbid-Halbleiterindustrie zu senken und so letztlich deren globale Wettbewerbsfähigkeit zu steigern.

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