VeTek Semiconductor ist ein professioneller chinesischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern, ALD-Planetenbasis und TaC-beschichteter Graphitbasis. Der Silizium-auf-Isolator-Wafer von VeTek Semiconductor ist ein wichtiges Halbleitersubstratmaterial und spielt aufgrund seiner hervorragenden Produkteigenschaften eine Schlüsselrolle in Hochleistungs-, Niedrigstrom-, Hochintegrations- und HF-Anwendungen. Wir freuen uns auf die weitere Zusammenarbeit mit Ihnen.
Das Funktionsprinzip vonVeTek Semiconductor'SSilizium auf Isolatorwaferberuht vor allem auf seiner einzigartigen Struktur und seinen Materialeigenschaften. Und SOI-Waferbesteht aus drei Schichten: Die obere Schicht ist eine einkristalline Silizium-Bauelementschicht, die mittlere ist eine isolierende Buried OXide (BOX)-Schicht und die untere Schicht ist ein tragendes Siliziumsubstrat.
Bildung der Isolationsschicht: Silizium-auf-Isolator-Wafer werden normalerweise mit der Smart Cut™-Technologie oder der SIMOX-Technologie (Separation by IMplanted OXygen) hergestellt. Die Smart Cut™-Technologie injiziert Wasserstoffionen in den Siliziumwafer, um eine Blasenschicht zu bilden, und verbindet dann den wasserstoffinjizierten Wafer mit dem tragenden Siliziumwafer. Nach der Wärmebehandlung wird der wasserstoffinjizierte Wafer von der Blasenschicht getrennt, um eine SOI-Struktur zu bilden. Bei der SIMOX-Technologie werden hochenergetische Sauerstoffionen in Siliziumwafer implantiert, um bei hohen Temperaturen eine Siliziumoxidschicht zu bilden.
Reduzieren Sie parasitäre Kapazitäten: Die BOX-Schicht desSilizium auf IsolatorwaferIsoliert effektiv die Geräteschicht und das Basissilizium und reduziert so die parasitäre Kapazität erheblich. Diese Isolierung reduziert den Stromverbrauch und erhöht die Geschwindigkeit und Leistung des Geräts.
Latch-up-Effekte vermeiden: Die N-Well- und P-Well-Geräte imSOI-Wafersind vollständig isoliert, wodurch der Latch-up-Effekt in herkömmlichen CMOS-Strukturen vermieden wird. Dies ermöglichtSilizium auf Isolator-Wafer mit höheren Geschwindigkeiten gefertigt werden.
Ätzstoppfunktion: Die einkristalline Silizium-Geräteschicht und die BOX-Schichtstruktur des SOI-Wafers erleichtern die Herstellung von MEMS und optoelektronischen Geräten und bieten eine hervorragende Ätzstoppfunktion.
Durch diese EigenschaftenSilizium auf Isolatorwaferspielt eine wichtige Rolle in der Halbleiterverarbeitung und fördert die kontinuierliche Entwicklung der Industrien für integrierte Schaltkreise (IC) und mikroelektromechanische Systeme (MEMS). Wir freuen uns sehr auf die weitere Kommunikation und Zusammenarbeit mit Ihnen.
Produktparameter:
Produktionshallen:
Überblick über die Industriekette der Halbleiterchip-Epitaxie: