Branchennachrichten

Was ist stufengesteuertes epitaktisches Wachstum?

Die Probleme im Ätzprozess

Bei der Ätztechnologie in der Halbleiterfertigung treten häufig Probleme wie Ladeeffekt, Mikrorilleneffekt und Ladeeffekt auf, die sich auf die Produktqualität auswirken. Zu den Verbesserungslösungen gehören die Optimierung der Plasmadichte, die Anpassung der Reaktionsgaszusammensetzung, die Verbess......

Was ist heißgepresste SiC-Keramik?

Das Heißpresssintern ist die Hauptmethode zur Herstellung von Hochleistungs-SiC-Keramik. Der Prozess des Heißpresssinterns umfasst: Auswahl von hochreinem SiC-Pulver, Pressen und Formen unter hoher Temperatur und hohem Druck und anschließendes Sintern. Mit dieser Methode hergestellte SiC-Keramik wei......

Anwendung von kohlenstoffbasierten Wärmefeldmaterialien bei der Kristallzüchtung von Siliziumkarbid

Zu den wichtigsten Wachstumsmethoden für Siliziumkarbid (SiC) gehören PVT, TSSG und HTCVD, jede mit unterschiedlichen Vorteilen und Herausforderungen. Kohlenstoffbasierte Wärmefeldmaterialien wie Isolationssysteme, Tiegel, TaC-Beschichtungen und poröser Graphit fördern das Kristallwachstum, indem si......

Warum erhält die SiC-Beschichtung so viel Aufmerksamkeit? - VeTek Semiconductor

SiC verfügt über eine hohe Härte, Wärmeleitfähigkeit und Korrosionsbeständigkeit und eignet sich daher ideal für die Halbleiterfertigung. Die CVD-SiC-Beschichtung wird durch chemische Gasphasenabscheidung erzeugt und bietet eine hohe Wärmeleitfähigkeit, chemische Stabilität und eine passende Gitterk......

Warum sticht 3C-SiC unter vielen SiC-Polymorphen heraus? - VeTek Semiconductor

Siliziumkarbid (SiC) ist ein hochpräzises Halbleitermaterial, das für seine hervorragenden Eigenschaften wie hohe Temperaturbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit und hohe mechanische Festigkeit bekannt ist. Es weist über 200 Kristallstrukturen auf, wobei 3C-SiC der einzige kubische Typ ist und im V......