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Halbleitersubstratwafer: Materialeigenschaften von Silizium, GaAs, SiC und GaN

Der Artikel analysiert die Materialeigenschaften von Halbleitersubstratwafern wie Silizium, GaAs, SiC und GaN

GaN-basierte Niedertemperatur-Epitaxie-Technologie

Dieser Artikel beschreibt hauptsächlich die GaN-basierte Niedertemperatur-Epitaxietechnologie, einschließlich der Kristallstruktur von GaN-basierten Materialien, 3. Anforderungen und Implementierungslösungen der Epitaxietechnologie, die Vorteile der auf PVD-Prinzipien basierenden Niedertemperatur-Ep......

Was ist der Unterschied zwischen CVD-TaC und gesintertem TaC?

Dieser Artikel stellt zunächst die molekulare Struktur und die physikalischen Eigenschaften von TaC vor und konzentriert sich auf die Unterschiede und Anwendungen von gesintertem Tantalkarbid und CVD-Tantalkarbid sowie auf die beliebten TaC-Beschichtungsprodukte von VeTek Semiconductor.

Wie bereitet man eine CVD-TaC-Beschichtung vor?

In diesem Artikel werden die Produkteigenschaften der CVD-TaC-Beschichtung, der Prozess der Herstellung der CVD-TaC-Beschichtung mithilfe der CVD-Methode und die grundlegende Methode zur Oberflächenmorphologieerkennung der vorbereiteten CVD-TaC-Beschichtung vorgestellt.

Was ist eine Tantalkarbidbeschichtung?

In diesem Artikel werden die Produkteigenschaften der TaC-Beschichtung, der spezifische Prozess zur Herstellung von TaC-Beschichtungsprodukten mithilfe des CVD-Verfahrens und die beliebteste TaC-Beschichtung von VeTek Semiconductor vorgestellt.

Warum ist die SiC-Beschichtung ein wichtiges Kernmaterial für das epitaktische Wachstum von SiC?

Dieser Artikel analysiert die Gründe, warum die SiC-Beschichtung ein wichtiges Kernmaterial für das epitaktische Wachstum von SiC ist, und konzentriert sich auf die spezifischen Vorteile der SiC-Beschichtung in der Halbleiterindustrie.

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