Da die Gerätegröße in der Halbleiterfertigungsindustrie immer weiter schrumpft, hat die Abscheidungstechnologie von Dünnschichtmaterialien beispiellose Herausforderungen mit sich gebracht. Atomic Layer Deposition (ALD) ist als Dünnschicht-Abscheidungstechnologie, die eine präzise Steuerung auf atoma......
WeiterlesenEs ist ideal, um integrierte Schaltkreise oder Halbleiterbauelemente auf einer perfekt kristallinen Basisschicht aufzubauen. Der Epitaxieprozess (EPI) in der Halbleiterfertigung zielt darauf ab, eine feine einkristalline Schicht, normalerweise etwa 0,5 bis 20 Mikrometer, auf einem einkristallinen Su......
WeiterlesenDer Hauptunterschied zwischen Epitaxie und Atomlagenabscheidung (ALD) liegt in ihren Filmwachstumsmechanismen und Betriebsbedingungen. Unter Epitaxie versteht man den Prozess des Züchtens eines kristallinen Dünnfilms auf einem kristallinen Substrat mit einer bestimmten Orientierungsbeziehung, wobei ......
WeiterlesenDie CVD-TAC-Beschichtung ist ein Verfahren zur Bildung einer dichten und dauerhaften Beschichtung auf einem Substrat (Graphit). Bei dieser Methode wird TaC bei hohen Temperaturen auf der Substratoberfläche abgeschieden, was zu einer Tantalcarbid (TaC)-Beschichtung mit ausgezeichneter thermischer Sta......
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