CVD SiC ist ein hochreines Siliziumkarbidmaterial, das durch chemische Gasphasenabscheidung hergestellt wird. Es wird hauptsächlich für verschiedene Komponenten und Beschichtungen in Halbleiterverarbeitungsanlagen verwendet. Der folgende Inhalt ist eine Einführung in die Produktklassifizierung und d......
WeiterlesenDa die Gerätegröße in der Halbleiterfertigungsindustrie immer weiter schrumpft, hat die Abscheidungstechnologie von Dünnschichtmaterialien beispiellose Herausforderungen mit sich gebracht. Atomic Layer Deposition (ALD) ist als Dünnschicht-Abscheidungstechnologie, die eine präzise Steuerung auf atoma......
WeiterlesenEs ist ideal, um integrierte Schaltkreise oder Halbleiterbauelemente auf einer perfekt kristallinen Basisschicht aufzubauen. Der Epitaxieprozess (EPI) in der Halbleiterfertigung zielt darauf ab, eine feine einkristalline Schicht, normalerweise etwa 0,5 bis 20 Mikrometer, auf einem einkristallinen Su......
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