Poröses SiC-Vakuumfutter

Als professioneller Hersteller und Lieferant von porösen SiC-Vakuumspannfuttern in China wird das poröse SiC-Vakuumspannfutter von Vetek Semiconductor häufig in Schlüsselkomponenten von Halbleiterfertigungsanlagen eingesetzt, insbesondere wenn es um CVD- und PECVD-Prozesse geht. Vetek Semiconductor ist auf die Herstellung und Lieferung leistungsstarker poröser SiC-Vakuumfutter spezialisiert. Begrüßen Sie Ihre weiteren Anfragen.

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Produktbeschreibung

Das poröse SiC-Vakuumfutter von Vetek Semiconductor besteht hauptsächlich aus Siliziumkarbid (SiC), einem Keramikmaterial mit hervorragender Leistung. Poröser SiC-Vakuumspanner kann die Rolle der Waferunterstützung und -fixierung im Halbleiterverarbeitungsprozess spielen. Dieses Produkt kann den engen Sitz zwischen dem Wafer und dem Spannfutter gewährleisten, indem es eine gleichmäßige Ansaugung bietet, wodurch ein Verziehen und eine Verformung des Wafers wirksam vermieden wird, wodurch die Ebenheit des Flusses während der Verarbeitung sichergestellt wird. Darüber hinaus kann die hohe Temperaturbeständigkeit von Siliziumkarbid die Stabilität des Chucks gewährleisten und verhindern, dass der Wafer aufgrund der Wärmeausdehnung herunterfällt. Gerne können Sie sich weiter beraten.

Im Bereich der Elektronik kann Porous SiC Vacuum Chuck als Halbleitermaterial zum Laserschneiden, zur Herstellung von Leistungsgeräten, Photovoltaikmodulen und leistungselektronischen Komponenten verwendet werden. Seine hohe Wärmeleitfähigkeit und hohe Temperaturbeständigkeit machen es zu einem idealen Material für elektronische Geräte. Im Bereich der Optoelektronik kann Porous SiC Vacuum Chuck zur Herstellung optoelektronischer Geräte wie Laser, LED-Verpackungsmaterialien und Solarzellen verwendet werden. Seine hervorragenden optischen Eigenschaften und Korrosionsbeständigkeit tragen dazu bei, die Leistung und Stabilität des Geräts zu verbessern.

Vetek Semiconductor kann Ihnen helfen:

1. Sauberkeit: Nach der Verarbeitung des SiC-Trägers, der Gravur, der Reinigung und der endgültigen Lieferung muss es 1,5 Stunden lang bei 1200 Grad getempert werden, um alle Verunreinigungen auszubrennen, und dann in Vakuumbeutel verpackt werden.

2. Ebenheit des Produkts: Vor dem Platzieren des Wafers muss dieser über -60 kPa liegen, wenn er auf dem Gerät platziert wird, um zu verhindern, dass der Träger während der schnellen Übertragung wegfliegt. Nach dem Platzieren des Wafers muss dieser über -70 kPa liegen. Wenn die Leerlauftemperatur unter -50 kPa liegt, gibt die Maschine weiterhin einen Alarm aus und kann nicht betrieben werden. Daher ist die Ebenheit der Rückseite sehr wichtig.

3. Gaswegdesign: individuell nach Kundenwunsch.

3 Phasen des Kundentests:

1. Oxidationstest: kein Sauerstoff (der Kunde erhitzt schnell auf 900 Grad, daher muss das Produkt bei 1100 Grad geglüht werden).

2. Metallrückstandstest: Schnelles Erhitzen auf 1200 Grad, es werden keine Metallverunreinigungen freigesetzt, die den Wafer verunreinigen könnten.

3. Vakuumtest: Der Unterschied zwischen dem Druck mit und ohne Wafer beträgt innerhalb von +2 kA (Saugkraft).