Als professioneller Hersteller und Lieferant von ALD-Fused-Quarz-Sockelprodukten in China ist VeTek Semiconductor ALD-Fused-Quarz-Sockel speziell für den Einsatz in Atomic Layer Deposition (ALD), Low-Pressure Chemical Vapour Deposition (LPCVD) sowie Diffusionswaferprozessen konzipiert gleichmäßige Abscheidung dünner Filme auf Waferoberflächen. Gerne nehmen wir Ihre weiteren Anfragen entgegen.
Der ALD-Quarzsockel von VeTek Semiconductor spielt eine Schlüsselrolle im Halbleiterherstellungsprozess als Stützstruktur fürQuarzboot, der zur Aufnahme des dientWafer. Der Quarzglassockel trägt dazu bei, eine gleichmäßige Filmabscheidung zu erreichen, indem er eine stabile Temperatur aufrechterhält, was sich direkt auf die Leistung und Zuverlässigkeit von Halbleiterbauelementen auswirkt. Darüber hinaus sorgt der Quarzsockel für eine gleichmäßige Verteilung von Wärme und Licht in der Prozesskammer und verbessert so die Gesamtqualität des Abscheidungsprozesses.
Vorteile des ALD-Sockelmaterials aus Quarzglas
Hohe Temperaturbeständigkeit: Der Erweichungspunkt des Quarzglassockels liegt bei etwa 1730 °C und er hält einem Hochtemperaturbetrieb von 1100 °C bis 1250 °C über einen langen Zeitraum stand und kann Umgebungen mit extremen Temperaturen von bis zu 1450 °C ausgesetzt werden für kurze Zeit.
Ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit: Quarzglas ist gegenüber fast allen Säuren außer Flusssäure chemisch hochinert. Seine Säurebeständigkeit ist 30-mal höher als bei Keramik und 150-mal höher als bei Edelstahl. Quarzglas ist bei hohen Temperaturen chemisch unübertroffen, was es zu einem idealen Material für komplexe chemische Prozesse macht.
Thermische Stabilität: Ein Hauptmerkmal des Quarzglas-Sockelmaterials ist sein extrem niedriger Wärmeausdehnungskoeffizient. Dies bedeutet, dass es starke Temperaturschwankungen problemlos bewältigen kann, ohne zu reißen. Beispielsweise kann Quarzglas schnell auf 1100 °C erhitzt und direkt in kaltes Wasser getaucht werden, ohne Schaden zu nehmen, eine wichtige Eigenschaft bei Herstellungsbedingungen mit hoher Belastung.
Strenger Herstellungsprozess: Der Produktionsprozess von Quarzglas-Sockeln folgt strikt hohen Qualitätsstandards. Der Produktionsprozess nutzt Warmumform- und Schweißprozesse, die üblicherweise in einer Reinraumumgebung der Klasse 10.000 durchgeführt werden. Anschließend wird der Quarzglassockel gründlich mit Reinstwasser (18 MΩ) gereinigt, um Produktreinheit und optimale Leistung sicherzustellen. Jedes fertige Produkt wird in einem Reinraum der Klasse 1.000 oder höher streng geprüft, gereinigt und verpackt, um den hohen Standards der Halbleiterindustrie gerecht zu werden.
Hochreines, undurchsichtiges Quarzmaterial
Der VeTeksemi ALD-Sockel aus Quarzglas verwendet hochreines, undurchsichtiges Quarzmaterial, um Wärme und Licht effektiv zu isolieren. Seine hervorragenden Hitze- und Lichtschutzeigenschaften ermöglichen die Aufrechterhaltung einer gleichmäßigen Temperaturverteilung in der Prozesskammer und sorgen so für Gleichmäßigkeit und Konsistenz der dünnen SchichtFilmabscheidungauf der Waferoberfläche.
Anwendungsfelder
Quarzglassockel werden aufgrund ihrer hervorragenden Leistung in vielen Bereichen der Halbleiterindustrie häufig eingesetzt. ImAtomlagenabscheidungsprozess (ALD).Es unterstützt die präzise Steuerung des Filmwachstums und sorgt für die Weiterentwicklung von Halbleiterbauelementen. ImNiederdruck-chemisches Gasphasenabscheidungsverfahren (LPCVD).Die thermische Stabilität und die Lichtabschirmungsfähigkeit des hochreinen Quarzsockels garantieren eine gleichmäßige Abscheidung dünner Filme und verbessern so die Geräteleistung und -ausbeute.
Darüber hinaus gewährleisten die hohe Temperaturbeständigkeit und chemische Korrosionsbeständigkeit von Fused Quartz Pedestal im Diffusionswaferprozess die Zuverlässigkeit und Konsistenz des Dotierungsprozesses des Halbleitermaterials. Diese Schlüsselprozesse bestimmen die elektrische Leistung von Halbleiterbauelementen, und hochwertige Quarzglasmaterialien spielen eine unverzichtbare Rolle bei der Erzielung der besten Ergebnisse dieser Prozesse.
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