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Hochreiner poröser Graphit

Hochreiner poröser Graphit

Hochreiner poröser Graphit von VeTek Semiconductor ist ein fortschrittliches Halbleiterverarbeitungsmaterial. Es besteht aus hochreinem Kohlenstoffmaterial mit ausgezeichneter Wärmeleitfähigkeit, guter chemischer Stabilität und ausgezeichneter mechanischer Festigkeit. Dieser hochreine poröse Graphit spielt eine wichtige Rolle im Wachstumsprozess von einkristallinem SiC. VeTek Semiconductor ist bestrebt, Qualitätsprodukte zu wettbewerbsfähigen Preisen anzubieten und freut sich darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

Hochwertiger hochreiner poröser Graphit von VeTek Semiconductor wird vom chinesischen Hersteller VeTek Semiconductor angeboten. Kaufen Sie hochreinen porösen Graphit von VeTek Semiconductor, der direkt von hoher Qualität und zu einem niedrigen Preis ist.

Der hochreine poröse Graphit von VeTek Semiconductor ist ein Meisterstück hitzebeständiger Materialien, das den extremen Temperaturen in Halbleiteröfen standhält. Seine überlegene Haltbarkeit und Langlebigkeit bedeuten weniger Austausch und weniger Ausfallzeiten, was im Laufe der Zeit zu erheblichen Kosteneinsparungen führt.

Wir stellen hochreinen porösen Graphit aus Kohlenstoffquellen höchster Qualität her, um minimale Verunreinigungen und ein minimales Kontaminationsrisiko zu gewährleisten. Diese hohe Reinheit bedeutet höhere Erträge und eine überlegene Leistung von Halbleiterbauelementen.

Entscheiden Sie sich für hochreinen porösen Graphit, dessen außergewöhnliche thermische Stabilität eine konstante Leistung gewährleistet und ihn ideal für die kritische Halbleiterverarbeitung macht.

Rüsten Sie Ihre Halbleiterfertigung noch heute auf, um hochreinen porösen Graphit zu verwenden – ein Material, das die Art und Weise verändert, wie wir die Technologie von morgen herstellen. Kontaktieren Sie uns noch heute, um Ihre spezifischen Anforderungen zu besprechen und sich auf eine Reise der Innovation in der Halbleiterfertigung zu begeben. Lassen Sie uns zusammenarbeiten, um eine überlegene Zukunft in der Halbleiterfertigung zu schaffen!


Produktparameter des hochreinen porösen Graphits

Typische physikalische Eigenschaften von porösem Graphit
Artikel Parameter
Schüttdichte 0,89 g/cm³
Druckfestigkeit 8,27 MPa
Biegefestigkeit 8,27 MPa
Zugfestigkeit 1,72 MPa
Spezifischer Widerstand 130Ω-inX10-5
Porosität 50 %
Durchschnittliche Porengröße 70 um
Wärmeleitfähigkeit 12W/M*K


VeTek Halbleiterproduktionswerkstatt


Überblick über die Industriekette der Halbleiterchip-Epitaxie:


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