VeTek Semiconductor ist ein professioneller Hersteller von porösem Graphit, CVD-SiC-Beschichtung und CVD-TAC-COATING-Graphitsuszeptor in China. Tatsächlich spielt poröser Graphit als zentrales Verbrauchsmaterial im Halbleiterherstellungsprozess eine unersetzliche Rolle bei mehreren Zusammenhängen wie Kristallwachstum, Dotierung und Glühen. VeTek Semiconductor ist bestrebt, qualitativ hochwertige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen anzubieten, und wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.
Auf dem chinesischen Markt für mit Siliziumkarbid beschichtete Graphitschalen ist die poröse Graphitkomponente von VeTek Semiconductor ein wichtiges Verbrauchsmaterial im Halbleiterherstellungsprozess, und ihre Leistung wirkt sich direkt auf die Qualität und Zuverlässigkeit von Halbleiterbauelementen aus. Es ist ein unverzichtbares Produkt im Halbleiterherstellungsprozess. Willkommen zu Ihrer weiteren Beratung.
VeTek Semiconductor poröse Graphitteilespielen in der Halbleiterverarbeitung eine unersetzliche Rolle:
● Hochtemperatur-Schmelzbehälter: Der hohe Schmelzpunkt von porösem Graphit ermöglicht es ihm, dem Hochtemperatur-Schmelzprozess von Halbleitermaterialien standzuhalten, während die poröse Struktur die Blasenbildung wirksam verhindert und die hohe Reinheit der Schmelze gewährleistet.
● Atmosphärenschutzträger: Poröser Graphit kann eine relativ stabile inerte Atmosphäre schaffen, den Kontakt zwischen der Schmelze und der äußeren Umgebung verringern und Oxidation und Kontamination vermeiden.
● Wärmeübertragungsmedium: Die hervorragende Wärmeleitfähigkeit von porösem Graphit sorgt für eine gleichmäßige Verteilung der Schmelztemperatur und begünstigt ein gleichmäßiges Kristallwachstum.
● Unterstützung und Fixierung: Der Graphittiegel bietet der Schmelze einen stabilen Halt und verhindert so deren Verformung.
● Gasdiffusionskanal: Die Struktur von porösem Graphit bietet einen Diffusionskanal für das in der Schmelze erzeugte Gas, was dazu beiträgt, den Gasdruck zu reduzieren und Kristallfehler zu vermeiden.
Noch wichtiger ist, dass VeTek Semiconductor eine absolut marktführende Position auf dem chinesischen Markt für SIC-beschichtete Graphitsuszeptoren und TAC-beschichtete Graphittiegel einnimmt.Als professioneller Hersteller vonporösGraphittiegel, Poröser GraphitUndTaC-Beschichtungsplatte iIn China besteht VeTek Semiconductor stets auf der Bereitstellung maßgeschneiderter Produktdienstleistungen und ist bestrebt, der Branche erstklassige Technologie- und Produktlösungen anzubieten. Wir freuen uns sehr auf Ihre Beratung.
Typische physikalische Eigenschaften von porösem Graphit |
|
lt |
Parameter |
Schüttdichte |
0,89 g/cm2 |
Druckfestigkeit |
8,27 MPa |
Biegefestigkeit |
8,27 MPa |
Zugfestigkeit |
1,72 MPa |
Spezifischer Widerstand |
130Ω-inX10-5 |
Graphitporosität |
50 % |
Durchschnittliche Porengröße |
70 um |
Wärmeleitfähigkeit |
12W/M*K |