Poröses Tantalcarbid: Eine neue Generation von Materialien für das SiC-Kristallwachstum

Mit der zunehmenden Massenproduktion leitfähiger SiC-Substrate werden höhere Anforderungen an die Stabilität und Wiederholbarkeit des Prozesses gestellt. Insbesondere die Kontrolle von Defekten, geringfügige Anpassungen oder Abweichungen im thermischen Feld im Ofen führen zu Veränderungen im Kristall oder einer Zunahme von Defekten.

In der späteren Phase stehen wir vor der Herausforderung, „schneller, dicker und länger zu werden“. Neben der Verbesserung von Theorie und Technik sind zur Unterstützung fortschrittlichere Wärmefeldmaterialien erforderlich. Verwenden Sie fortschrittliche Materialien, um fortschrittliche Kristalle zu züchten.

Die unsachgemäße Verwendung von Materialien wie Graphit, porösem Graphit und Tantalkarbidpulver im Tiegel im thermischen Feld führt zu Defekten wie erhöhten Kohlenstoffeinschlüssen. Darüber hinaus reicht die Durchlässigkeit von porösem Graphit in einigen Anwendungen nicht aus und es müssen zusätzliche Löcher geöffnet werden, um die Durchlässigkeit zu erhöhen. Poröser Graphit mit hoher Permeabilität steht vor Herausforderungen wie Verarbeitung, Pulververlust und Ätzen.

Kürzlich hat VeTek Semiconductor eine neue Generation von SiC-Kristallwachstums-Wärmefeldmaterialien auf den Markt gebracht.poröses Tantalcarbid, zum ersten Mal auf der Welt.

Tantalcarbid hat eine hohe Festigkeit und Härte und es ist noch schwieriger, es porös zu machen. Noch schwieriger ist es, poröses Tantalcarbid mit großer Porosität und hoher Reinheit herzustellen. VeTek Semiconductor hat ein bahnbrechendes poröses Tantalcarbid mit großer Porosität auf den Markt gebracht.mit einer maximalen Porosität von 75 % und erreicht damit das international führende Niveau.

Darüber hinaus kann es zur Filterung von Gasphasenkomponenten, zur Anpassung lokaler Temperaturgradienten, zur Steuerung der Materialflussrichtung, zur Kontrolle von Leckagen usw. verwendet werden; es kann mit einer anderen festen Tantalkarbid-Beschichtung (dicht) oder Tantalkarbid-Beschichtung von VeTek Semiconductor kombiniert werden, um Komponenten mit unterschiedlichen lokalen Strömungsleitwerten zu bilden; Einige Komponenten können wiederverwendet werden.

Technische Parameter

Porosität ≤75 % International führend

Form: Flocke, zylindrisch. International führend

Gleichmäßige Porosität

Poröses Tantalkarbid (TaC) von VeTek Semiconductor verfügt über die folgenden Produktmerkmale

●   Porosität für vielseitige Anwendungen

Die poröse Struktur von TaC bietet Multifunktionalität und ermöglicht den Einsatz in speziellen Szenarien wie:

Gasdiffusion: Erleichtert die präzise Steuerung des Gasflusses in Halbleiterprozessen.

Filtration: Ideal für Umgebungen, die eine leistungsstarke Partikelabscheidung erfordern.

Kontrollierte Wärmeableitung: Verwaltet die Wärme in Hochtemperatursystemen effizient und verbessert die allgemeine Wärmeregulierung.

●  Extrem hohe Temperaturbeständigkeit

Mit einem Schmelzpunkt von etwa 3.880 °C eignet sich Tantalcarbid hervorragend für Ultrahochtemperaturanwendungen. Diese außergewöhnliche Hitzebeständigkeit gewährleistet eine konstante Leistung unter Bedingungen, unter denen die meisten Materialien versagen.

●  Überlegene Härte und Haltbarkeit

Mit einem Wert von 9 bis 10 auf der Mohs-Härteskala, ähnlich wie Diamant, weist Porous TaC eine beispiellose Widerstandsfähigkeit gegenüber mechanischem Verschleiß auf, selbst unter extremer Belastung. Diese Haltbarkeit macht es ideal für Anwendungen, die abrasiven Umgebungen ausgesetzt sind.

●   Außergewöhnliche thermische Stabilität

Tantalcarbid behält seine strukturelle Integrität und Leistung bei extremer Hitze. Seine bemerkenswerte thermische Stabilität gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb in Branchen, die eine hohe Temperaturkonsistenz erfordern, wie beispielsweise die Halbleiterfertigung und die Luft- und Raumfahrt.

●   Hervorragende Wärmeleitfähigkeit

Trotz seiner porösen Beschaffenheit sorgt Porous TaC für eine effiziente Wärmeübertragung und ermöglicht so den Einsatz in Systemen, in denen eine schnelle Wärmeableitung entscheidend ist. Diese Eigenschaft verbessert die Anwendbarkeit des Materials in wärmeintensiven Prozessen.

●   Geringe Wärmeausdehnung für Dimensionsstabilität

Mit einem niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten widersteht Tantalkarbid Dimensionsänderungen, die durch Temperaturschwankungen verursacht werden. Diese Eigenschaft minimiert die thermische Belastung, verlängert die Lebensdauer von Komponenten und sorgt für die Aufrechterhaltung der Präzision in kritischen Systemen.

In der Halbleiterfertigung spielt poröses Tantalcarbid (TaC) die folgenden spezifischen Schlüsselrollen

●  In Hochtemperaturprozessen wie Plasmaätzen und CVD wird poröses Tantalcarbid von VeTek Semiconductor häufig als Schutzbeschichtung für Verarbeitungsgeräte verwendet. Dies ist auf die starke Korrosionsbeständigkeit der TaC-Beschichtung und ihre Hochtemperaturstabilität zurückzuführen. Diese Eigenschaften gewährleisten einen wirksamen Schutz von Oberflächen, die reaktiven Gasen oder extremen Temperaturen ausgesetzt sind, und sorgen so für die normale Reaktion von Hochtemperaturprozessen.

●  Bei Diffusionsprozessen kann poröses Tantalcarbid als wirksame Diffusionsbarriere dienen, um die Vermischung von Materialien in Hochtemperaturprozessen zu verhindern. Diese Funktion wird häufig verwendet, um die Diffusion von Dotierstoffen in Prozessen wie der Ionenimplantation und der Reinheitskontrolle von Halbleiterwafern zu steuern.

●  Die poröse Struktur des porösen VeTek-Halbleiter-Tantalkarbids eignet sich sehr gut für Halbleiterverarbeitungsumgebungen, die eine präzise Gasflusssteuerung oder -filtration erfordern. In diesem Prozess spielt poröses TaC hauptsächlich die Rolle der Gasfiltration und -verteilung. Seine chemische Inertheit stellt sicher, dass während des Filtrationsprozesses keine Verunreinigungen eingetragen werden. Dadurch wird die Reinheit des verarbeiteten Produkts effektiv gewährleistet.

Über VeTek Semiconductor

Als professioneller Hersteller, Lieferant und Fabrik für poröses Tantalkarbid in China verfügen wir über eine eigene Fabrik. Egal, ob Sie maßgeschneiderte Dienstleistungen benötigen, um den spezifischen Anforderungen Ihrer Region gerecht zu werden, oder fortschrittliches und langlebiges poröses Tantalkarbid aus China kaufen möchten, Sie können uns eine Nachricht hinterlassen.

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