Poröses Tantalcarbid

VeTek Semiconductor Porous Tantalum Carbide (TaC) ist ein Hochleistungskeramikmaterial, das die Eigenschaften von Tantal und Kohlenstoff kombiniert. Seine poröse Struktur eignet sich sehr gut für spezifische Anwendungen bei hohen Temperaturen und extremen Umgebungen. TaC vereint hervorragende Härte, thermische Stabilität und chemische Beständigkeit und ist damit eine ideale Materialwahl für die Halbleiterverarbeitung.

Poröses Tantalkarbid (TaC) besteht aus Tantal (Ta) und Kohlenstoff (C), wobei Tantal eine starke chemische Bindung mit Kohlenstoffatomen eingeht, was dem Material eine extrem hohe Haltbarkeit und Verschleißfestigkeit verleiht. Die poröse Struktur von Porous TaC entsteht während des Herstellungsprozesses des Materials und die Porosität kann entsprechend den spezifischen Anwendungsanforderungen gesteuert werden. Dieses Produkt wird normalerweise von hergestelltchemische Gasphasenabscheidung (CVD)Methode, die eine präzise Kontrolle der Porengröße und -verteilung gewährleistet.

Molekulare Struktur von Tantalcarbid

VeTek semiconductor Porous Tantalum Carbide (TaC) has the following product features:

- Porosität: Die poröse Struktur verleiht ihm in bestimmten Anwendungsszenarien unterschiedliche Funktionen, darunter Gasdiffusion, Filtration oder kontrollierte Wärmeableitung.

- Hoher Schmelzpunkt: Tantalcarbid hat einen extrem hohen Schmelzpunkt von etwa 3.880 °C, der für Umgebungen mit extrem hohen Temperaturen geeignet ist.

- Hervorragende Härte: Poröses TaC hat eine extrem hohe Härte von etwa 9–10 auf der Mohs-Härteskala, ähnlich wie Diamant. und hält mechanischem Verschleiß unter extremen Bedingungen stand.

- Thermische Stabilität: Tantalkarbid (TaC)-Material kann in Umgebungen mit hohen Temperaturen stabil bleiben und verfügt über eine hohe thermische Stabilität, wodurch eine konstante Leistung in Umgebungen mit hohen Temperaturen gewährleistet wird.

- Hohe Wärmeleitfähigkeit: Trotz seiner Porosität behält poröses Tantalcarbid immer noch eine gute Wärmeleitfähigkeit und sorgt so für eine effiziente Wärmeübertragung.

- Niedriger Wärmeausdehnungskoeffizient: Der niedrige Wärmeausdehnungskoeffizient von Tantalcarbid (TaC) trägt dazu bei, dass das Material auch bei starken Temperaturschwankungen formstabil bleibt und reduziert die Auswirkungen thermischer Spannungen.

Physikalische Eigenschaften der TaC-Beschichtung：

In der Halbleiterfertigung spielt poröses Tantalcarbid (TaC) die folgende spezifische SchlüsselrolleS:

Bei Hochtemperaturprozessen wie zPlasmaätzenund CVD: Poröses Tantalcarbid von VeTek Semiconductor wird häufig als Schutzbeschichtung für Verarbeitungsgeräte verwendet. Dies liegt an der starken Korrosionsbeständigkeit vonTaC-Beschichtungund seine Hochtemperaturstabilität. Diese Eigenschaften gewährleisten einen wirksamen Schutz von Oberflächen, die reaktiven Gasen oder extremen Temperaturen ausgesetzt sind, und sorgen so für die normale Reaktion von Hochtemperaturprozessen.

Bei Diffusionsprozessen kann poröses Tantalcarbid als wirksame Diffusionsbarriere dienen, um die Vermischung von Materialien in Hochtemperaturprozessen zu verhindern. Diese Funktion wird häufig verwendet, um die Diffusion von Dotierstoffen in Prozessen wie der Ionenimplantation und der Reinheitskontrolle von Halbleiterwafern zu steuern.

Die poröse Struktur von VeTek Semiconductor Porous Tantalum Carbide eignet sich sehr gut für Halbleiterverarbeitungsumgebungen, die eine präzise Gasflusssteuerung oder -filtration erfordern. In diesem Prozess spielt poröses TaC hauptsächlich die Rolle der Gasfiltration und -verteilung. Seine chemische Inertheit stellt sicher, dass während des Filtrationsprozesses keine Verunreinigungen eingetragen werden. Dadurch wird die Reinheit des verarbeiteten Produkts effektiv gewährleistet.

Tantalcarbid (TaC)-Beschichtung auf einem mikroskopischen Querschnitt: