Mit Tantalkarbid beschichteter poröser Graphit

VeTek-Halbleiter-Tantalkarbid-beschichteter poröser Graphit hat sich aufgrund seiner extrem hohen Temperaturbeständigkeit (Schmelzpunkt um 3880 °C), seiner hervorragenden thermischen Stabilität, mechanischen Festigkeit und chemischen Inertheit in Umgebungen mit hohen Temperaturen zu einem Siliziumkarbid (SiC)-Kristall entwickelt. Ein unverzichtbares Material im Wachstumsprozess. Insbesondere seine poröse Struktur bietet viele technische VorteileKristallwachstumsprozess. 

Das Folgende ist eine detaillierte Analyse vonMit Tantalkarbid beschichteter poröser GraphitKernrolle:

● Verbessern Sie die Effizienz des Gasflusses und steuern Sie Prozessparameter genau

Die mikroporöse Struktur von porösem Graphit kann die gleichmäßige Verteilung von Reaktionsgasen (wie Karbidgas und Stickstoff) fördern und dadurch die Atmosphäre in der Reaktionszone optimieren. Diese Eigenschaft kann lokale Gasansammlungen oder Turbulenzen effektiv verhindern, sicherstellen, dass SiC-Kristalle während des gesamten Wachstumsprozesses gleichmäßig beansprucht werden und die Defektrate erheblich reduziert wird. Gleichzeitig ermöglicht die poröse Struktur auch eine präzise Einstellung der Gasdruckgradienten, wodurch die Kristallwachstumsraten weiter optimiert und die Produktkonsistenz verbessert werden.

●  Reduzieren Sie die Ansammlung thermischer Spannungen und verbessern Sie die Kristallintegrität

Bei Hochtemperaturvorgängen verringern die elastischen Eigenschaften von porösem Tantalkarbid (TaC) die durch Temperaturunterschiede verursachten thermischen Spannungskonzentrationen erheblich. Diese Fähigkeit ist besonders wichtig bei der Züchtung von SiC-Kristallen, da sie das Risiko einer thermischen Rissbildung verringert und so die Integrität der Kristallstruktur und die Verarbeitungsstabilität verbessert.

●  Optimieren Sie die Wärmeverteilung und verbessern Sie die Effizienz der Energienutzung

Die Tantalkarbidbeschichtung verleiht porösem Graphit nicht nur eine höhere Wärmeleitfähigkeit, sondern seine porösen Eigenschaften können auch die Wärme gleichmäßig verteilen und so eine äußerst gleichmäßige Temperaturverteilung im Reaktionsbereich gewährleisten. Dieses gleichmäßige Wärmemanagement ist die Grundvoraussetzung für die Herstellung hochreiner SiC-Kristalle. Darüber hinaus kann die Heizeffizienz deutlich verbessert, der Energieverbrauch gesenkt und der Produktionsprozess wirtschaftlicher und effizienter gestaltet werden.

●  Verbessern Sie die Korrosionsbeständigkeit und verlängern Sie die Lebensdauer der Komponenten

Gase und Nebenprodukte in Umgebungen mit hohen Temperaturen (z. B. in der Dampfphase von Wasserstoff oder Siliziumkarbid) können schwere Korrosion an Materialien verursachen. Die TaC-Beschichtung bietet eine hervorragende chemische Barriere gegen porösen Graphit, reduziert die Korrosionsrate der Komponente erheblich und verlängert so deren Lebensdauer. Darüber hinaus gewährleistet die Beschichtung die Langzeitstabilität der porösen Struktur, sodass die Gastransporteigenschaften nicht beeinträchtigt werden.

●  Blockiert effektiv die Diffusion von Verunreinigungen und sorgt für Kristallreinheit

Die unbeschichtete Graphitmatrix kann Spuren von Verunreinigungen freisetzen, und die TaC-Beschichtung fungiert als Isolationsbarriere, um zu verhindern, dass diese Verunreinigungen in einer Hochtemperaturumgebung in den SiC-Kristall diffundieren. Dieser Abschirmeffekt ist entscheidend für die Verbesserung der Kristallreinheit und trägt dazu bei, die strengen Anforderungen der Halbleiterindustrie an hochwertige SiC-Materialien zu erfüllen.

Der mit Tantalkarbid beschichtete poröse Graphit von VeTek Semiconductor verbessert die Prozesseffizienz und Kristallqualität erheblich, indem er den Gasfluss optimiert, thermische Spannungen reduziert, die thermische Gleichmäßigkeit verbessert, die Korrosionsbeständigkeit erhöht und die Diffusion von Verunreinigungen während des SiC-Kristallwachstumsprozesses hemmt. Der Einsatz dieses Materials gewährleistet nicht nur eine hohe Präzision und Reinheit in der Produktion, sondern senkt auch die Betriebskosten erheblich und macht es zu einem wichtigen Pfeiler in der modernen Halbleiterfertigung.

Noch wichtiger ist, dass sich VeTeksemi seit langem für die Bereitstellung fortschrittlicher Technologie- und Produktlösungen für die Halbleiterfertigungsindustrie einsetzt und maßgeschneiderte Produktdienstleistungen für mit Tantalcarbid beschichtetes poröses Graphit unterstützt. Wir freuen uns aufrichtig darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

Physikalische Eigenschaften der Tantalcarbid-Beschichtung

VeTek Halbleiter-Produktionsstätten für mit Tantalkarbid beschichtetes poröses Graphit