Kennen Sie MOCVD Susceptor?

Beim metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidungsprozess (MOCVD) ist der Suzeptor eine Schlüsselkomponente, die für die Unterstützung des Wafers und die Sicherstellung der Gleichmäßigkeit und präzisen Steuerung des Abscheidungsprozesses verantwortlich ist. Seine Materialauswahl und Produkteigenschaften wirken sich direkt auf die Stabilität des Epitaxieprozesses und die Qualität des Produkts aus.

MOCVD-Akzeptor(Metal-Organic Chemical Vapour Deposition) ist eine Schlüsselprozesskomponente in der Halbleiterfertigung. Es wird hauptsächlich im MOCVD-Verfahren (Metal-Organic Chemical Vapour Deposition) verwendet, um den Wafer für die Dünnschichtabscheidung zu stützen und zu erhitzen. Das Design und die Materialauswahl des Suzeptors sind entscheidend für die Gleichmäßigkeit, Effizienz und Qualität des Endprodukts.

Produkttyp und Materialauswahl:

Das Design und die Materialauswahl des MOCVD-Suszeptors sind vielfältig und werden in der Regel durch Prozessanforderungen und Reaktionsbedingungen bestimmt.Im Folgenden sind gängige Produkttypen und deren Materialien aufgeführt:

SiC-beschichteter Suszeptor(Siliziumkarbidbeschichteter Suszeptor):

Beschreibung: Suszeptor mit SiC-Beschichtung, mit Graphit oder anderen Hochtemperaturmaterialien als Substrat und CVD-SiC-Beschichtung (CVD-SiC-Beschichtung) auf der Oberfläche zur Verbesserung seiner Verschleißfestigkeit und Korrosionsbeständigkeit.

Anwendung: Weit verbreitet in MOCVD-Prozessen in Umgebungen mit hohen Temperaturen und stark korrosiven Gasen, insbesondere bei der Siliziumepitaxie und der Abscheidung von Verbindungshalbleitern.

TaC-beschichteter Suszeptor:

Beschreibung: Suszeptor mit TaC-Beschichtung (CVD-TaC-Beschichtung) als Hauptmaterial weist eine extrem hohe Härte und chemische Stabilität auf und ist für den Einsatz in extrem korrosiven Umgebungen geeignet.

Anwendung: Wird in MOCVD-Prozessen verwendet, die eine höhere Korrosionsbeständigkeit und mechanische Festigkeit erfordern, wie zum Beispiel die Abscheidung von Galliumnitrid (GaN) und Galliumarsenid (GaAs).

Mit Siliziumkarbid beschichteter Graphit-Suszeptor für MOCVD:

Beschreibung: Das Substrat besteht aus Graphit und die Oberfläche ist mit einer CVD-SiC-Beschichtung versehen, um Stabilität und lange Lebensdauer bei hohen Temperaturen zu gewährleisten.

Anwendung: Geeignet für den Einsatz in Geräten wie Aixtron MOCVD-Reaktoren zur Herstellung hochwertiger Verbindungshalbleitermaterialien.

EPI-Rezeptor (Epitaxie-Rezeptor):

Beschreibung: Suszeptor, der speziell für den epitaktischen Wachstumsprozess entwickelt wurde, normalerweise mit SiC-Beschichtung oder TaC-Beschichtung zur Verbesserung seiner Wärmeleitfähigkeit und Haltbarkeit.

Anwendung: In der Siliziumepitaxie und Verbindungshalbleiterepitaxie wird es verwendet, um eine gleichmäßige Erwärmung und Abscheidung von Wafern sicherzustellen.

Hauptaufgabe des Suszeptors für MOCVD in der Halbleiterverarbeitung:

Waferunterstützung und gleichmäßige Erwärmung:

Funktion: Der Suszeptor dient zur Unterstützung von Wafern in MOCVD-Reaktoren und sorgt für eine gleichmäßige Wärmeverteilung durch Induktionserwärmung oder andere Methoden, um eine gleichmäßige Filmabscheidung sicherzustellen.

Wärmeleitung und Stabilität:

Funktion: Die Wärmeleitfähigkeit und thermische Stabilität von Suszeptormaterialien sind entscheidend. SiC-beschichtete Suszeptoren und TaC-beschichtete Suszeptoren können aufgrund ihrer hohen Wärmeleitfähigkeit und hohen Temperaturbeständigkeit die Stabilität in Hochtemperaturprozessen aufrechterhalten und Filmdefekte durch ungleichmäßige Temperaturen vermeiden.

Korrosionsbeständigkeit und lange Lebensdauer:

Funktion: Beim MOCVD-Verfahren wird der Suszeptor verschiedenen chemischen Vorläufergasen ausgesetzt. SiC-Beschichtung und TaC-Beschichtung bieten eine hervorragende Korrosionsbeständigkeit, reduzieren die Wechselwirkung zwischen der Materialoberfläche und dem Reaktionsgas und verlängern die Lebensdauer des Suszeptors.

Optimierung der Reaktionsumgebung:

Funktion: Durch die Verwendung hochwertiger Suszeptoren werden der Gasfluss und das Temperaturfeld im MOCVD-Reaktor optimiert, wodurch ein gleichmäßiger Filmabscheidungsprozess gewährleistet und die Ausbeute und Leistung des Geräts verbessert wird. Es wird normalerweise in Suszeptoren für MOCVD-Reaktoren und Aixtron MOCVD-Geräten verwendet.

Produktmerkmale und technische Vorteile：

Hohe Wärmeleitfähigkeit und thermische Stabilität:

Merkmale: Mit SiC und TaC beschichtete Suszeptoren verfügen über eine extrem hohe Wärmeleitfähigkeit, können Wärme schnell und gleichmäßig verteilen und behalten ihre strukturelle Stabilität bei hohen Temperaturen bei, um eine gleichmäßige Erwärmung der Wafer zu gewährleisten.

Vorteile: Geeignet für MOCVD-Prozesse, die eine präzise Temperaturkontrolle erfordern, wie zum Beispiel das epitaktische Wachstum von Verbindungshalbleitern wie Galliumnitrid (GaN) und Galliumarsenid (GaAs).

Ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit:

Merkmale: CVD-SiC-Beschichtung und CVD-TaC-Beschichtung weisen eine extrem hohe chemische Inertheit auf und können der Korrosion durch stark korrosive Gase wie Chloride und Fluoride widerstehen, wodurch das Substrat des Suszeptors vor Schäden geschützt wird.

Vorteile: Verlängern Sie die Lebensdauer des Suszeptors, reduzieren Sie die Wartungshäufigkeit und verbessern Sie die Gesamteffizienz des MOCVD-Prozesses.

Hohe mechanische Festigkeit und Härte:

Merkmale: Die hohe Härte und mechanische Festigkeit der SiC- und TaC-Beschichtungen ermöglichen es dem Suszeptor, mechanischen Belastungen in Umgebungen mit hohen Temperaturen und hohem Druck standzuhalten und langfristige Stabilität und Präzision beizubehalten.

Vorteile: Besonders geeignet für Halbleiterherstellungsprozesse, die eine hohe Präzision erfordern, wie z. B. epitaktisches Wachstum und chemische Gasphasenabscheidung.

Marktanwendungs- und Entwicklungsaussichten

MOCVD-Suszeptorenwerden häufig bei der Herstellung von Hochleistungs-LEDs, leistungselektronischen Geräten (wie GaN-basierten HEMTs), Solarzellen und anderen optoelektronischen Geräten verwendet. Angesichts der steigenden Nachfrage nach Halbleiterbauelementen mit höherer Leistung und geringerem Stromverbrauch schreitet die MOCVD-Technologie weiter voran und treibt Innovationen bei Suszeptormaterialien und -designs voran. Beispielsweise die Entwicklung einer SiC-Beschichtungstechnologie mit höherer Reinheit und geringerer Defektdichte sowie die Optimierung des Strukturdesigns von Susceptor zur Anpassung an größere Wafer und komplexere mehrschichtige Epitaxieprozesse.

VeTek Semiconductor Technology Co., LTD ist ein führender Anbieter von fortschrittlichen Beschichtungsmaterialien für die Halbleiterindustrie. Unser Unternehmen konzentriert sich auf die Entwicklung innovativer Lösungen für die Branche.

Zu unserem Hauptproduktangebot gehören CVD-Siliziumkarbid-Beschichtungen (SiC), Tantalkarbid-Beschichtungen (TaC), SiC-Massen, SiC-Pulver und hochreine SiC-Materialien, SiC-beschichtete Graphitsuszeptoren, Vorheizringe, TaC-beschichtete Umleitungsringe, Halbmondteile usw ., die Reinheit liegt unter 5 ppm, kann Kundenanforderungen erfüllen.

VeTek Semiconductor konzentriert sich auf die Entwicklung modernster Technologie und Produktentwicklungslösungen für die Halbleiterindustrie. Wir hoffen aufrichtig, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.