Aixtron G5 MOCVD Suszeptoren
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Aixtron G5 MOCVD Suszeptoren

VeTek Semiconductor ist ein führender Hersteller und Innovator von Aixtron G5 MOCVD Suszeptoren in China. Wir sind seit vielen Jahren auf SiC-Beschichtungsmaterialien spezialisiert. Wir bieten Aixtron G5 MOCVD Suszeptoren an, die speziell für den Aixtron G5 MOCVD-Reaktor entwickelt wurden. Dieses Aixtron G5 MOCVD-Suszeptoren-Kit ist mit seiner optimalen Größe, Kompatibilität und hohen Produktivität eine vielseitige und effiziente Lösung für die Halbleiterfertigung. Willkommen bei uns.

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Produktbeschreibung

Als professioneller Hersteller möchte VeTek Semiconductor Ihnen Aixtron G5 MOCVD-Suszeptoren wie SiC-beschichtete Graphitteile, TaC-beschichtete Graphitteile, feste SiC/CVD-SiC- und Quarzteile anbieten. Willkommen bei uns.

Aixtron G5 ist ein Beschichtungssystem für Verbindungshalbleiter. AIX G5 MOCVD nutzt eine vom Produktionskunden bewährte AIXTRON-Planetenreaktorplattform mit einem vollautomatischen Kartuschen-Wafertransfersystem (C2C). Erreicht die branchenweit größte Einzelhohlraumgröße (8 x 6 Zoll) und die größte Produktionskapazität. Es bietet flexible 6- und 4-Zoll-Konfigurationen, die darauf ausgelegt sind, die Produktionskosten zu minimieren und gleichzeitig eine hervorragende Produktqualität aufrechtzuerhalten. Das Warmwand-Planeten-CVD-System zeichnet sich durch das Wachstum mehrerer Platten in einem einzigen Ofen aus und weist eine hohe Produktionseffizienz auf. VeTek Semiconductor bietet ein komplettes Zubehörset für das Aixtron G5 MOCVD-System an. Aixtron G5 MOCVD-Suszeptoren bestehen aus folgendem Zubehör:

Druckstück, Anti-Rotation Verteilerring Decke Halter, Decke, isoliert Abdeckplatte, außen
Abdeckplatte, innen Abdeckring Rabatt Pulldown-Abdeckscheibe Stift
Stiftscheibe Planetenscheibe Kollektor-Einlassringspalt Oberer Abgaskollektor Verschluss
Unterstützender Ring Stützrohr

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Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung:

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung
Eigentum Typischer Wert
Kristallstruktur Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert
Dichte 3,21 g/cm³
Härte 2500 Vickers-Härte (500 g Belastung)
Körnung 2~10μm
Chemische Reinheit 99,99995 %
Wärmekapazität 640 J·kg-1·K-1
Sublimationstemperatur 2700℃
Biegefestigkeit 415 MPa RT 4-Punkt
Elastizitätsmodul 430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃
Wärmeleitfähigkeit 300W·m-1·K-1
Wärmeausdehnung (CTE) 4,5×10-6K-1


VeTek Halbleiterproduktionswerkstatt


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