SiC-beschichteter MOCVD-Suszeptor

Der SiC-beschichtete MOCVD-Suszeptor von VeTek Semiconductor ist ein Gerät mit ausgezeichnetem Prozess, Haltbarkeit und Zuverlässigkeit. Sie halten hohen Temperaturen und chemischen Umgebungen stand, behalten eine stabile Leistung und eine lange Lebensdauer bei, wodurch die Häufigkeit von Austausch und Wartung verringert und die Produktionseffizienz verbessert wird. Unser MOCVD-Epitaxie-Suszeptor ist bekannt für seine hohe Dichte, hervorragende Ebenheit und hervorragende Wärmekontrolle, was ihn zur bevorzugten Ausrüstung in rauen Fertigungsumgebungen macht. Wir freuen uns auf die Zusammenarbeit mit Ihnen.

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Produktbeschreibung

Bei VeTek Semiconductor finden Sie eine riesige Auswahl an SiC-beschichteten MOCVD-Suszeptoren aus China. Bieten Sie professionellen Kundendienst und den richtigen Preis und freuen Sie sich auf die Zusammenarbeit.

Die MOCVD-Epitaxie-Suszeptoren von VeTek Semiconductor sind so konzipiert, dass sie Hochtemperaturumgebungen und rauen chemischen Bedingungen standhalten, die im Wafer-Produktionsprozess üblich sind. Durch Präzisionstechnik werden diese Komponenten auf die strengen Anforderungen epitaktischer Reaktorsysteme zugeschnitten. Unsere MOCVD-Epitaxie-Suszeptoren bestehen aus hochwertigen Graphitsubstraten, die mit einer Schicht aus Siliziumkarbid (SiC) beschichtet sind, die nicht nur eine hervorragende Hochtemperatur- und Korrosionsbeständigkeit aufweist, sondern auch eine gleichmäßige Wärmeverteilung gewährleistet, was für die Aufrechterhaltung einer konsistenten epitaktischen Filmabscheidung von entscheidender Bedeutung ist .

Darüber hinaus verfügen unsere Halbleiter-Suszeptoren über eine hervorragende thermische Leistung, die eine schnelle und gleichmäßige Temperaturkontrolle zur Optimierung des Halbleiter-Wachstumsprozesses ermöglicht. Sie widerstehen hohen Temperaturen, Oxidation und Korrosion und gewährleisten so einen zuverlässigen Betrieb auch in den anspruchsvollsten Betriebsumgebungen.

Darüber hinaus sind die SiC-beschichteten MOCVD-Suszeptoren mit Schwerpunkt auf Gleichmäßigkeit konzipiert, was für die Erzielung hochwertiger Einkristallsubstrate von entscheidender Bedeutung ist. Das Erreichen einer Ebenheit ist für ein hervorragendes Einkristallwachstum auf der Waferoberfläche von wesentlicher Bedeutung.

Bei VeTek Semiconductor ist unsere Leidenschaft, Industriestandards zu übertreffen, ebenso wichtig wie unser Engagement für Kosteneffizienz für unsere Partner. Wir sind bestrebt, Produkte wie den MOCVD Epitaxial Susceptor bereitzustellen, um den sich ständig ändernden Anforderungen der Halbleiterfertigung gerecht zu werden und deren Entwicklungstrends zu antizipieren, um sicherzustellen, dass Ihr Betrieb mit den modernsten Werkzeugen ausgestattet ist. Wir freuen uns darauf, eine langfristige Partnerschaft mit Ihnen aufzubauen und Ihnen hochwertige Lösungen anzubieten.

Produktparameter des MOCVD Epitaxial Susceptor

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung
Eigentum	Typischer Wert
Kristallstruktur	Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert
Dichte	3,21 g/cm³
Härte	2500 Vickers-Härte (500 g Belastung)
Körnung	2~10μm
Chemische Reinheit	99,99995 %
Wärmekapazität	640 J·kg-1·K-1
Sublimationstemperatur	2700℃
Biegefestigkeit	415 MPa RT 4-Punkt
Elastizitätsmodul	430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃
Wärmeleitfähigkeit	300W·m-1·K-1
Wärmeausdehnung (CTE)	4,5×10-6K-1

VeTek Semiconductor Production Shop

Überblick über die Industriekette der Halbleiterchip-Epitaxie:

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