Der SiC-beschichtete MOCVD-Suszeptor von VeTek Semiconductor ist ein Gerät mit ausgezeichnetem Prozess, Haltbarkeit und Zuverlässigkeit. Sie halten hohen Temperaturen und chemischen Umgebungen stand, behalten eine stabile Leistung und eine lange Lebensdauer bei, wodurch die Häufigkeit von Austausch und Wartung verringert und die Produktionseffizienz verbessert wird. Unser MOCVD-Epitaxie-Suszeptor ist bekannt für seine hohe Dichte, hervorragende Ebenheit und hervorragende Wärmekontrolle und ist daher die bevorzugte Ausrüstung in rauen Fertigungsumgebungen. Wir freuen uns auf die Zusammenarbeit mit Ihnen.
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VeTek SemiconductorMOCVD-Epitaxie-Suszeptorensind so konzipiert, dass sie Umgebungen mit hohen Temperaturen und rauen chemischen Bedingungen standhalten, die im Wafer-Produktionsprozess üblich sind. Durch Präzisionstechnik werden diese Komponenten auf die strengen Anforderungen epitaktischer Reaktorsysteme zugeschnitten. Unsere MOCVD-Epitaxie-Suszeptoren bestehen aus hochwertigen Graphitsubstraten, die mit einer Schicht aus beschichtet sindSiliziumkarbid (SiC), das nicht nur eine hervorragende Hochtemperatur- und Korrosionsbeständigkeit aufweist, sondern auch eine gleichmäßige Wärmeverteilung gewährleistet, was für die Aufrechterhaltung einer konsistenten epitaktischen Filmabscheidung von entscheidender Bedeutung ist.
Darüber hinaus verfügen unsere Halbleiter-Suszeptoren über eine hervorragende thermische Leistung, die eine schnelle und gleichmäßige Temperaturkontrolle zur Optimierung des Halbleiter-Wachstumsprozesses ermöglicht. Sie widerstehen hohen Temperaturen, Oxidation und Korrosion und gewährleisten so einen zuverlässigen Betrieb auch in den anspruchsvollsten Betriebsumgebungen.
Darüber hinaus sind die SiC-beschichteten MOCVD-Suszeptoren mit dem Schwerpunkt auf Gleichmäßigkeit konzipiert, was für die Erzielung hochwertiger Einkristallsubstrate von entscheidender Bedeutung ist. Das Erreichen einer Ebenheit ist für ein hervorragendes Einkristallwachstum auf der Waferoberfläche von entscheidender Bedeutung.
Bei VeTek Semiconductor ist unsere Leidenschaft, Industriestandards zu übertreffen, ebenso wichtig wie unser Engagement für Kosteneffizienz für unsere Partner. Wir sind bestrebt, Produkte wie den MOCVD Epitaxial Susceptor bereitzustellen, um den sich ständig ändernden Anforderungen der Halbleiterfertigung gerecht zu werden und deren Entwicklungstrends zu antizipieren, um sicherzustellen, dass Ihr Betrieb mit den modernsten Werkzeugen ausgestattet ist. Wir freuen uns darauf, eine langfristige Partnerschaft mit Ihnen aufzubauen und Ihnen hochwertige Lösungen anzubieten.
Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung | |
Eigentum | Typischer Wert |
Kristallstruktur | Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert |
Dichte | 3,21 g/cm³ |
Härte | 2500 Vickers-Härte (500 g Belastung) |
Körnung | 2~10μm |
Chemische Reinheit | 99,99995 % |
Wärmekapazität | 640 J·kg-1·K-1 |
Sublimationstemperatur | 2700℃ |
Biegefestigkeit | 415 MPa RT 4-Punkt |
Elastizitätsmodul | 430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃ |
Wärmeleitfähigkeit | 300W·m-1·K-1 |
Wärmeausdehnung (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
REM-DATEN DER CVD-SIC-FILM-KRISTALLSTRUKTUR