4H SiC-Substrat vom N-Typ

Vetek Semiconductor4H SiC-Substrat vom N-TypProdukte verfügen über hervorragende elektrische, thermische und mechanische Eigenschaften. Daher wird dieses Produkt häufig bei der Verarbeitung von Halbleiterbauelementen verwendet, die hohe Leistung, hohe Frequenz, hohe Temperatur und hohe Zuverlässigkeit erfordern.

Die elektrische Durchschlagsfeldstärke von 4H N-SiC beträgt bis zu 2,2–3,0 MV/cm. Diese Produktfunktion ermöglicht die Herstellung kleinerer Geräte für höhere Spannungen. Daher wird unser 4H-N-Typ-SiC-Substrat häufig zur Herstellung von MOSFETs, Schottky- und JFETs verwendet.

Die Wärmeleitfähigkeit des 4H-SiC-Wafers vom N-Typ beträgt etwa 4,9 W/cm·K, was dazu beiträgt, Wärme effektiv abzuleiten, die Wärmeansammlung zu reduzieren, die Gerätelebensdauer zu verlängern und sich für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte zu eignen.

Darüber hinaus kann der SiC-Wafer vom N-Typ 4H von Vetek Semiconductor auch bei Temperaturen von bis zu 600 °C eine stabile elektronische Leistung aufweisen, sodass er häufig zur Herstellung von Hochtemperatursensoren verwendet wird und sich sehr gut für extreme Umgebungen eignet.

Durch das Aufwachsen einer epitaktischen Siliziumkarbidschicht auf einem Siliziumkarbidsubstrat vom n-Typ kann der homoepitaktische Siliziumkarbidwafer weiter zu Leistungsbauelementen wie SBD, MOSFET, IGBT usw. verarbeitet werden, die in Elektrofahrzeugen, im Schienenverkehr usw. verwendet werden -Kraftübertragung und -umwandlung usw.

Vetek Semiconductor strebt weiterhin eine höhere Kristallqualität und Verarbeitungsqualität an, um den Kundenbedürfnissen gerecht zu werden. Derzeit sind sowohl 6-Zoll- als auch 8-Zoll-Produkte erhältlich. Im Folgenden sind die grundlegenden Produktparameter des 6-Zoll- und 8-Zoll-SIC-Substrats aufgeführt:

6-Zoll-N-Typ-SiC-Substrat GRUNDLEGENDE PRODUKTSPEZIFIKATIONEN:

8-Zoll-N-Typ-SiC-Substrat GRUNDLEGENDE PRODUKTSPEZIFIKATIONEN:

Methode und Terminologie für die Detektion von 4H-N-Typ-SiC-Substraten: