4H halbisolierendes SiC-Substrat

Der halbisolierende SiC-Typ 4H von Vetek Semiconductor spielt mehrere Schlüsselrollen im Halbleiterverarbeitungsprozess. In Kombination mit seinem hohen spezifischen Widerstand, seiner hohen Wärmeleitfähigkeit, seiner großen Bandlücke und anderen Eigenschaften wird es häufig in Hochfrequenz-, Hochleistungs- und Hochtemperaturbereichen eingesetzt, insbesondere in Mikrowellen- und HF-Anwendungen. Es ist ein unverzichtbares Komponentenprodukt im Halbleiterherstellungsprozess.

Der spezifische Widerstand des halbisolierenden SiC-Substrats vom Typ Vetek Semiconductor 4H liegt normalerweise zwischen 10^6 Ω·cm und 10^9 Ω·cm. Dieser hohe Widerstand kann parasitäre Ströme unterdrücken und Signalstörungen reduzieren, insbesondere bei Hochfrequenz- und Hochleistungsanwendungen. Noch wichtiger ist, dass der hohe spezifische Widerstand des SiC-Substrats vom Typ 4H SI bei hohen Temperaturen und hohem Druck einen extrem geringen Leckstrom aufweist, was die Stabilität und Zuverlässigkeit des Geräts gewährleisten kann.

Die elektrische Durchschlagsfeldstärke des SiC-Substrats vom Typ 4H SI beträgt bis zu 2,2–3,0 MV/cm, was bedeutet, dass das SiC-Substrat vom Typ 4H SI höheren Spannungen ohne Durchschlag standhalten kann, sodass sich das Produkt sehr gut für Arbeiten darunter eignet Hochspannungs- und Hochleistungsbedingungen. Noch wichtiger ist, dass das SiC-Substrat vom Typ 4H SI eine große Bandlücke von etwa 3,26 eV aufweist, sodass das Produkt bei hohen Temperaturen und hoher Spannung eine hervorragende Isolationsleistung aufrechterhalten und elektronisches Rauschen reduzieren kann.

Darüber hinaus beträgt die Wärmeleitfähigkeit des SiC-Substrats vom Typ 4H SI etwa 4,9 W/cm·K, sodass dieses Produkt das Problem der Wärmeansammlung bei Hochleistungsanwendungen wirksam reduzieren und die Lebensdauer des Geräts verlängern kann. Geeignet für elektronische Geräte in Umgebungen mit hohen Temperaturen.

Durch das Aufwachsen einer GaN-Epitaxieschicht auf einem halbisolierenden Siliziumkarbidsubstrat kann der auf Siliziumkarbid basierende GaN-Epitaxiewafer weiter zu Mikrowellen-Hochfrequenzgeräten wie HEMT verarbeitet werden, die in der Informationskommunikation, Funkerkennung und anderen Bereichen eingesetzt werden.

Vetek Semiconductor strebt ständig nach höherer Kristallqualität und Verarbeitungsqualität, um den Kundenanforderungen gerecht zu werden. Derzeit sind 4-Zoll- und 6-Zoll-Produkte verfügbar, und 8-Zoll-Produkte befinden sich in der Entwicklung. 

Halbisolierendes SiC-Substrat GRUNDLEGENDE PRODUKTSPEZIFIKATIONEN:

Halbisolierendes SiC-Substrat. KRISTALLQUALITÄTSSPEZIFIKATIONEN:

Methode und Terminologie für die Erkennung halbisolierender SiC-Substrate vom Typ 4H: