Tiegel für monokristallines Silizium

Bei der CZ-Methode (Czochralski) wird ein Einkristall gezüchtet, indem ein monokristalliner Keim mit geschmolzenem polykristallinem Silizium in Kontakt gebracht wird. Unter langsamer Drehung wird das Saatgut nach und nach nach oben gezogen. Bei diesem Verfahren wird eine beträchtliche Anzahl an Graphitteilen verwendet, was es zum Verfahren macht, bei dem bei der Herstellung von Siliziumhalbleitern die höchste Menge an Graphitkomponenten zum Einsatz kommt.

Das folgende Bild zeigt eine schematische Darstellung eines Ofens zur Herstellung von Silizium-Einkristallen basierend auf der CZ-Methode.

Der Tiegel für monokristallines Silizium von Vetek Semiconductor bietet eine stabile und kontrollierte Umgebung, die für die präzise Bildung von Halbleiterkristallen entscheidend ist. Sie sind maßgeblich an der Züchtung monokristalliner Siliziumbarren mit fortschrittlichen Techniken wie dem Czochralski-Verfahren und Float-Zone-Methoden beteiligt, die für die Herstellung hochwertiger Materialien für elektronische Geräte von entscheidender Bedeutung sind.

Diese Tiegel sind auf herausragende thermische Stabilität, chemische Korrosionsbeständigkeit und minimale Wärmeausdehnung ausgelegt und gewährleisten Haltbarkeit und Robustheit. Sie sind so konzipiert, dass sie rauen chemischen Umgebungen standhalten, ohne die strukturelle Integrität oder Leistung zu beeinträchtigen. Dadurch wird die Lebensdauer des Tiegels verlängert und eine gleichbleibende Leistung bei längerem Gebrauch gewährleistet.

Die einzigartige Zusammensetzung der Vetek-Halbleitertiegel für monokristallines Silizium ermöglicht es ihnen, den extremen Bedingungen der Hochtemperaturverarbeitung standzuhalten. Dies garantiert eine außergewöhnliche thermische Stabilität und Reinheit, die für die Halbleiterverarbeitung von entscheidender Bedeutung sind. Die Zusammensetzung ermöglicht außerdem eine effiziente Wärmeübertragung, fördert eine gleichmäßige Kristallisation und minimiert Wärmegradienten innerhalb der Siliziumschmelze.

Vorteile unseres SiC-Beschichtungssuszeptors:

Schutz des Basismaterials: Die CVD-SiC-Beschichtung fungiert während des Epitaxieprozesses als Schutzschicht und schützt das Basismaterial effektiv vor Erosion und Schäden durch die äußere Umgebung. Diese Schutzmaßnahme verlängert die Lebensdauer der Geräte erheblich.

Hervorragende Wärmeleitfähigkeit: Unsere CVD-SiC-Beschichtung verfügt über eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit und überträgt die Wärme effizient vom Grundmaterial auf die Beschichtungsoberfläche. Dies verbessert die Effizienz des Wärmemanagements während der Epitaxie und gewährleistet optimale Betriebstemperaturen für die Ausrüstung.

Verbesserte Filmqualität: Die CVD-SiC-Beschichtung sorgt für eine flache und gleichmäßige Oberfläche und schafft so eine ideale Grundlage für das Filmwachstum. Es reduziert Defekte aufgrund von Gitterfehlanpassungen, verbessert die Kristallinität und Qualität des Epitaxiefilms und verbessert letztendlich seine Leistung und Zuverlässigkeit.

Wählen Sie unseren SiC-Beschichtungssuszeptor für Ihre epitaktischen Waferproduktionsanforderungen und profitieren Sie von verbessertem Schutz, überlegener Wärmeleitfähigkeit und verbesserter Filmqualität. Vertrauen Sie auf die innovativen Lösungen von VeTek Semiconductor, um Ihren Erfolg in der Halbleiterindustrie voranzutreiben.

Produktionsstätten:

Überblick über die Industriekette der Halbleiterchip-Epitaxie: