Der dreiblättrige Graphittiegel von VeTek Semiconductor ist ein spezieller Behälter, der für die thermische Behandlung von Halbleitermaterialien, insbesondere für die Herstellung von Einkristallen, entwickelt wurde. Es spielt eine entscheidende Rolle bei der Kontrolle des Wachstums von Einkristallstrukturen, die für die Herstellung von Halbleiterbauelementen erforderlich sind. VeTek Semiconductor's freut sich darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.
VeTek Semiconductor ist ein professioneller Hersteller und Lieferant von dreiblättrigen Graphittiegeln in China. Willkommen bei uns! Der dreiblättrige Graphittiegel von VeTek Semiconductor besteht hauptsächlich aus hochreinem Graphitmaterial und bietet hervorragende thermische Stabilität, chemische Beständigkeit und Wärmeausdehnungseigenschaften. Diese Eigenschaften ermöglichen es dem dreiblättrigen Graphittiegel von VeTek Semiconductor, extremen Bedingungen während der Hochtemperaturverarbeitung standzuhalten.
Der dreiblättrige Graphittiegel ist genau auf die anspruchsvollen Bedingungen von Halbleiterfertigungsprozessen ausgelegt. Es verfügt über ein robustes zylindrisches Design mit einer glatten Innenfläche, was eine gleichmäßige Wärmeverteilung und Kristallwachstum erleichtert. Darüber hinaus ist der dreiblättrige Graphittiegel von VeTek Semiconductor so konzipiert, dass das Risiko einer Kontamination des Halbleitermaterials durch Verunreinigungen minimiert wird.
Der dreiblättrige Graphittiegel weist eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit auf und sorgt so für eine effiziente Wärmeübertragung und eine gleichmäßige Temperaturverteilung während des Kristallisationsprozesses. Dies fördert ein gleichmäßiges Kristallwachstum und minimiert thermische Gradienten, die sich auf die Produktqualität auswirken können.
Der dreiblättrige Graphittiegel von VeTek Semiconductor findet breite Anwendung in verschiedenen Halbleiterherstellungsprozessen, einschließlich der Züchtung einkristalliner Siliziumbarren durch Techniken wie die Czochralski-Methode und die Floating-Zone-Methode. Diese Tiegel bieten eine stabile und kontrollierte Umgebung für die präzise Bildung von Halbleiterkristallen, die für die Herstellung hochwertiger Materialien für elektronische Geräte von entscheidender Bedeutung ist.
Für detaillierte Produktspezifikationen des dreiblättrigen Graphittiegels wenden Sie sich bitte an VeTek Semiconductor.
Physikalische Eigenschaften von isostatischem Graphit | ||
Eigentum | Einheit | Typischer Wert |
Schüttdichte | g/cm³ | 1.83 |
Härte | HSD | 58 |
Elektrischer widerstand | mΩ.m | 10 |
Biegefestigkeit | MPa | 47 |
Druckfestigkeit | MPa | 103 |
Zugfestigkeit | MPa | 31 |
Elastizitätsmodul | GPa | 11.8 |
Wärmeausdehnung (CTE) | 10-6K-1 | 4.6 |
Wärmeleitfähigkeit | W·m-1·K-1 | 130 |
Durchschnittliche Korngröße | μm | 8-10 |
Porosität | % | 10 |
Aschegehalt | ppm | ≤10 (nach der Reinigung) |