LPE SI EPI-Rezeptor-Set

VeTek Semiconductor ist ein führender Hersteller und Innovator von LPE-Si-Epi-Suszeptor-Sets in China. Wir sind seit vielen Jahren auf SiC-Beschichtung und TaC-Beschichtung spezialisiert. Wir bieten ein LPE-Si-Epi-Suszeptor-Set an, das speziell für LPE PE2061S 4''-Wafer entwickelt wurde. Der Übereinstimmungsgrad von Graphitmaterial und SiC-Beschichtung ist gut, die Gleichmäßigkeit ist ausgezeichnet und die Lebensdauer ist lang, was die Ausbeute des epitaktischen Schichtwachstums während des LPE-Prozesses (Liquid Phase Epitaxy) verbessern kann. Wir heißen Sie herzlich willkommen, unsere Fabrik in zu besuchen China.

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Produktbeschreibung

VeTek Semiconductor ist ein professioneller Hersteller und Lieferant von LPE-Si-EPI-Suszeptor-Sets in China.

Mit guter Qualität und wettbewerbsfähigen Preisen sind Sie herzlich willkommen, unsere Fabrik zu besuchen und eine langfristige Zusammenarbeit mit uns aufzubauen.

Das VeTeK Semiconductor LPE Si Epi Susceptor Set ist ein Hochleistungsprodukt, das durch Auftragen einer feinen Schicht Siliziumkarbid auf die Oberfläche von hochreinem isotropem Graphit entsteht. Dies wird durch das proprietäre CVD-Verfahren (Chemical Vapour Deposition) von VeTeK Semiconductor erreicht.

Das LPE Si Epi Susceptor Set von VeTek Semiconductor ist ein CVD-Epitaxie-Abscheidungstrommelreaktor, der für eine zuverlässige Leistung auch unter schwierigen Bedingungen ausgelegt ist. Seine hervorragende Beschichtungshaftung, Beständigkeit gegen Hochtemperaturoxidation und Korrosion machen es zur idealen Wahl für raue Umgebungen. Darüber hinaus verhindern das gleichmäßige Wärmeprofil und das laminare Gasströmungsmuster eine Kontamination und gewährleisten das Wachstum hochwertiger Epitaxieschichten.

Das tonnenförmige Design unseres Halbleiter-Epitaxie-Reaktors optimiert den Gasfluss und sorgt so für eine gleichmäßige Wärmeverteilung. Diese Funktion verhindert wirksam Kontaminationen und die Diffusion von Verunreinigungen und gewährleistet die Herstellung hochwertiger Epitaxieschichten auf Wafersubstraten.

Bei VeTek Semiconductor ist es uns ein Anliegen, unseren Kunden qualitativ hochwertige und kostengünstige Produkte anzubieten. Unser LPE-Si-Epi-Suszeptor-Set bietet wettbewerbsfähige Preise bei gleichzeitiger Beibehaltung einer hervorragenden Dichte sowohl für das Graphitsubstrat als auch für die Siliziumkarbidbeschichtung. Diese Kombination gewährleistet zuverlässigen Schutz in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und Korrosion.

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung:

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung
Eigentum	Typischer Wert
Kristallstruktur	Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert
Dichte	3,21 g/cm³
Härte	2500 Vickers-Härte (500 g Belastung)
Körnung	2~10μm
Chemische Reinheit	99,99995 %
Wärmekapazität	640 J·kg-1·K-1
Sublimationstemperatur	2700℃
Biegefestigkeit	415 MPa RT 4-Punkt
Elastizitätsmodul	430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃
Wärmeleitfähigkeit	300W·m-1·K-1
Wärmeausdehnung (CTE)	4,5×10-6K-1