SiC-beschichteter Graphit-Fass-Suszeptor für EPI

VeTek Semiconductor ist ein professioneller Hersteller, Lieferant und Exporteur von SiC-beschichteten Graphit-Zylindersuszeptoren für EPI. Unterstützt durch ein professionelles Team und führende Technologie kann VeTek Semiconductor Ihnen hohe Qualität zu angemessenen Preisen bieten. Wir heißen Sie herzlich willkommen, unsere Fabrik für weitere Gespräche zu besuchen.

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Produktbeschreibung

VeTek Semiconductor ist ein chinesischer Hersteller und Lieferant, der hauptsächlich SiC-beschichtete Graphitzylindersuszeptoren für EPI mit langjähriger Erfahrung herstellt. Ich hoffe, eine Geschäftsbeziehung mit Ihnen aufzubauen. EPI (Epitaxie) ist ein entscheidender Prozess bei der Herstellung fortschrittlicher Halbleiter. Dabei werden dünne Materialschichten auf einem Substrat abgeschieden, um komplexe Gerätestrukturen zu erzeugen. SiC-beschichtete Graphitrohrsuszeptoren für EPI werden aufgrund ihrer hervorragenden Wärmeleitfähigkeit und Beständigkeit gegenüber hohen Temperaturen häufig als Suszeptoren in EPI-Reaktoren verwendet. Durch die CVD-SiC-Beschichtung wird es widerstandsfähiger gegen Verschmutzung, Erosion und Thermoschock. Dies führt zu einer längeren Lebensdauer des Suszeptors und einer verbesserten Filmqualität.

Vorteile unseres SiC-beschichteten Graphit-Fass-Suszeptors:

Reduzierte Kontamination: Die inerte Natur von SiC verhindert, dass Verunreinigungen an der Suszeptoroberfläche haften, wodurch das Risiko einer Kontamination der abgeschiedenen Filme verringert wird.

Erhöhte Erosionsbeständigkeit: SiC ist deutlich widerstandsfähiger gegen Erosion als herkömmlicher Graphit, was zu einer längeren Lebensdauer des Suszeptors führt.

Verbesserte thermische Stabilität: SiC verfügt über eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit und hält hohen Temperaturen ohne nennenswerte Verformung stand.

Verbesserte Filmqualität: Die verbesserte thermische Stabilität und die geringere Kontamination führen zu qualitativ hochwertigeren abgeschiedenen Filmen mit verbesserter Gleichmäßigkeit und Dickenkontrolle.

Anwendungen:

SiC-beschichtete Graphit-Zylindersuszeptoren werden häufig in verschiedenen EPI-Anwendungen eingesetzt, darunter:

GaN-basierte LEDs

Leistungselektronik

Optoelektronische Geräte

Hochfrequenztransistoren

Sensoren

Produktparameter des SiC-beschichteten Graphit-Fass-Suszeptors

Physikalische Eigenschaften von isostatischem Graphit
Eigentum	Einheit	Typischer Wert
Schüttdichte	g/cm³	1.83
Härte	HSD	58
Elektrischer widerstand	mΩ.m	10
Biegefestigkeit	MPa	47
Druckfestigkeit	MPa	103
Zugfestigkeit	MPa	31
Elastizitätsmodul	GPa	11.8
Wärmeausdehnung (CTE)	10-6K-1	4.6
Wärmeleitfähigkeit	W·m-1·K-1	130
Durchschnittliche Korngröße	μm	8-10
Porosität	%	10
Aschegehalt	ppm	≤10 (nach der Reinigung)

Hinweis: Vor dem Beschichten führen wir eine erste Reinigung durch, nach dem Beschichten führen wir eine zweite Reinigung durch.

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung
Eigentum	Typischer Wert
Kristallstruktur	Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert
Dichte	3,21 g/cm³
Härte	2500 Vickers-Härte (500 g Belastung)
Körnung	2~10μm
Chemische Reinheit	99,99995 %
Wärmekapazität	640 J·kg-1·K-1
Sublimationstemperatur	2700℃
Biegefestigkeit	415 MPa RT 4-Punkt
Elastizitätsmodul	430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃
Wärmeleitfähigkeit	300W·m-1·K-1
Wärmeausdehnung (CTE)	4,5×10-6K-1

VeTek Halbleiterproduktionswerkstatt

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