SiC-beschichteter Träger für LPE PE2061S

VeTek Semiconductor ist ein führender Hersteller und Innovator von SiC-beschichteten Trägern für LPE PE2061S in China. Wir sind seit vielen Jahren auf SiC-Beschichtungsmaterialien spezialisiert. Wir bieten einen SiC-beschichteten Träger für LPE PE2061S an, der speziell für LPE-Silizium-Epitaxie-Reaktoren entwickelt wurde. Dieser SiC-beschichtete Träger für LPE PE2061S ist der Boden des Zylindersuszeptors. Er hält einer hohen Temperatur von 1600 Grad Celsius stand und verlängert die Produktlebensdauer des Graphitersatzteils. Senden Sie uns gerne eine Anfrage.

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Produktbeschreibung

Hochwertiger SiC-beschichteter Träger für LPE PE2061S wird vom chinesischen Hersteller VeTek Semiconductor angeboten. Kaufen Sie SiC-beschichtete Träger für LPE PE2061S, die von hoher Qualität und direkt zu einem niedrigen Preis sind.

Der VeTeK Semiconductor SiC-beschichtete Träger für LPE PE2061S in Silizium-Epitaxiegeräten wird in Verbindung mit einem zylinderförmigen Suszeptor verwendet, um die epitaktischen Wafer (oder Substrate) während des epitaktischen Wachstumsprozesses zu stützen und zu halten.

Die Bodenplatte wird hauptsächlich beim Trommelepitaxieofen verwendet. Der Trommelepitaxieofen hat eine größere Reaktionskammer und eine höhere Produktionseffizienz als der flache Epitaxiesuszeptor.

Der Träger hat ein rundes Lochdesign und wird hauptsächlich für den Abgasauslass innerhalb des Reaktors verwendet.

Der VeTeK Semiconductor SiC-beschichtete Träger für LPE PE2061S ist für das Flüssigphasenepitaxie-Reaktorsystem (LPE) mit hoher Reinheit, gleichmäßiger Beschichtung, Hochtemperaturstabilität, Korrosionsbeständigkeit, hoher Härte, ausgezeichneter Wärmeleitfähigkeit, niedrigem Wärmeausdehnungskoeffizienten und chemischer Inertheit vorgesehen .

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung:

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung
Eigentum	Typischer Wert
Kristallstruktur	Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert
Dichte	3,21 g/cm³
Härte	2500 Vickers-Härte (500 g Belastung)
Körnung	2~10μm
Chemische Reinheit	99,99995 %
Wärmekapazität	640 J·kg-1·K-1
Sublimationstemperatur	2700℃
Biegefestigkeit	415 MPa RT 4-Punkt
Elastizitätsmodul	430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃
Wärmeleitfähigkeit	300W·m-1·K-1
Wärmeausdehnung (CTE)	4,5×10-6K-1

VeTek Halbleiterproduktionswerkstatt

Überblick über die Industriekette der Halbleiterchip-Epitaxie:

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