SiC-beschichteter Graphit-Tiegelabweiser

VeTek Semiconductor verfügt über langjährige Erfahrung in der Herstellung hochwertiger SiC-beschichteter Graphittiegelabweiser. Wir verfügen über ein eigenes Labor für Materialforschung und -entwicklung und können Ihre individuellen Designs mit höchster Qualität unterstützen. Wir heißen Sie herzlich willkommen, unsere Fabrik für weitere Gespräche zu besuchen.

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Produktbeschreibung

VeTek Semiconducotr ist ein professioneller Hersteller und Lieferant von SiC-beschichteten Graphittiegel-Deflektoren in China. Der SiC-beschichtete Graphittiegelabweiser ist eine entscheidende Komponente in der monokristallinen Ofenausrüstung und hat die Aufgabe, das geschmolzene Material reibungslos vom Tiegel zur Kristallwachstumszone zu leiten und so die Qualität und Form des monokristallinen Wachstums sicherzustellen.

Die Funktionen unseres SiC-beschichteten Graphittiegelabweisers sind:

Flusskontrolle: Sie lenkt den Fluss des geschmolzenen Siliziums während des Czochralski-Prozesses und sorgt so für eine gleichmäßige Verteilung und kontrollierte Bewegung des geschmolzenen Siliziums, um das Kristallwachstum zu fördern.

Temperaturregulierung: Es hilft, die Temperaturverteilung innerhalb des geschmolzenen Siliziums zu regulieren, um optimale Bedingungen für das Kristallwachstum zu gewährleisten und Temperaturgradienten zu minimieren, die die Qualität des monokristallinen Siliziums beeinträchtigen könnten.

Kontaminationsverhinderung: Durch die Steuerung des Flusses von geschmolzenem Silizium wird eine Kontamination durch den Tiegel oder andere Quellen verhindert und die für Halbleiteranwendungen erforderliche hohe Reinheit aufrechterhalten.

Stabilität: Der Deflektor trägt zur Stabilität des Kristallwachstumsprozesses bei, indem er Turbulenzen reduziert und einen gleichmäßigen Fluss geschmolzenen Siliziums fördert, was für die Erzielung gleichmäßiger Kristalleigenschaften von entscheidender Bedeutung ist.

Erleichterung des Kristallwachstums: Durch die kontrollierte Führung des geschmolzenen Siliziums erleichtert der Deflektor das Wachstum eines Einkristalls aus dem geschmolzenen Silizium, was für die Herstellung hochwertiger monokristalliner Siliziumwafer für die Halbleiterfertigung unerlässlich ist.

Produktparameter des SiC-beschichteten Graphittiegeldeflektors

Physikalische Eigenschaften von isostatischem Graphit
Eigentum	Einheit	Typischer Wert
Schüttdichte	g/cm³	1.83
Härte	HSD	58
Elektrischer widerstand	mΩ.m	10
Biegefestigkeit	MPa	47
Druckfestigkeit	MPa	103
Zugfestigkeit	MPa	31
Elastizitätsmodul	GPa	11.8
Wärmeausdehnung (CTE)	10-6K-1	4.6
Wärmeleitfähigkeit	W·m-1·K-1	130
Durchschnittliche Korngröße	μm	8-10
Porosität	%	10
Aschegehalt	ppm	≤10 (nach der Reinigung)

Hinweis: Vor dem Beschichten führen wir eine erste Reinigung durch, nach dem Beschichten führen wir eine zweite Reinigung durch.

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung
Eigentum	Typischer Wert
Kristallstruktur	Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert
Dichte	3,21 g/cm³
Härte	2500 Vickers-Härte (500 g Belastung)
Körnung	2~10μm
Chemische Reinheit	99,99995 %
Wärmekapazität	640 J·kg-1·K-1
Sublimationstemperatur	2700℃
Biegefestigkeit	415 MPa RT 4-Punkt
Elastizitätsmodul	430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃
Wärmeleitfähigkeit	300W·m-1·K-1
Wärmeausdehnung (CTE)	4,5×10-6K-1

VeTek Halbleiterproduktionswerkstatt

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