VeTek Semiconductor verfügt über langjährige Erfahrung in der Herstellung hochwertiger SiC-beschichteter Graphittiegelabweiser. Wir verfügen über ein eigenes Labor für Materialforschung und -entwicklung und können Ihre individuellen Designs mit höchster Qualität unterstützen. Wir heißen Sie herzlich willkommen, unsere Fabrik für weitere Gespräche zu besuchen.
VeTek Semiconducotr ist ein professioneller Hersteller und Lieferant von SiC-beschichteten Graphittiegel-Deflektoren in China. Der SiC-beschichtete Graphittiegelabweiser ist eine entscheidende Komponente in der monokristallinen Ofenausrüstung und hat die Aufgabe, das geschmolzene Material reibungslos vom Tiegel zur Kristallwachstumszone zu leiten und so die Qualität und Form des monokristallinen Wachstums sicherzustellen.
Flusskontrolle: Sie lenkt den Fluss des geschmolzenen Siliziums während des Czochralski-Prozesses und sorgt so für eine gleichmäßige Verteilung und kontrollierte Bewegung des geschmolzenen Siliziums, um das Kristallwachstum zu fördern.
Temperaturregulierung: Es hilft, die Temperaturverteilung innerhalb des geschmolzenen Siliziums zu regulieren, um optimale Bedingungen für das Kristallwachstum zu gewährleisten und Temperaturgradienten zu minimieren, die die Qualität des monokristallinen Siliziums beeinträchtigen könnten.
Kontaminationsverhinderung: Durch die Steuerung des Flusses von geschmolzenem Silizium wird eine Kontamination durch den Tiegel oder andere Quellen verhindert und die für Halbleiteranwendungen erforderliche hohe Reinheit aufrechterhalten.
Stabilität: Der Deflektor trägt zur Stabilität des Kristallwachstumsprozesses bei, indem er Turbulenzen reduziert und einen gleichmäßigen Fluss geschmolzenen Siliziums fördert, was für die Erzielung gleichmäßiger Kristalleigenschaften von entscheidender Bedeutung ist.
Erleichterung des Kristallwachstums: Durch die kontrollierte Führung des geschmolzenen Siliziums erleichtert der Deflektor das Wachstum eines Einkristalls aus dem geschmolzenen Silizium, was für die Herstellung hochwertiger monokristalliner Siliziumwafer für die Halbleiterfertigung unerlässlich ist.
Physikalische Eigenschaften von isostatischem Graphit | ||
Eigentum | Einheit | Typischer Wert |
Schüttdichte | g/cm³ | 1.83 |
Härte | HSD | 58 |
Elektrischer widerstand | mΩ.m | 10 |
Biegefestigkeit | MPa | 47 |
Druckfestigkeit | MPa | 103 |
Zugfestigkeit | MPa | 31 |
Elastizitätsmodul | GPa | 11.8 |
Wärmeausdehnung (CTE) | 10-6K-1 | 4.6 |
Wärmeleitfähigkeit | W·m-1·K-1 | 130 |
Durchschnittliche Korngröße | μm | 8-10 |
Porosität | % | 10 |
Aschegehalt | ppm | ≤10 (nach der Reinigung) |
Hinweis: Vor dem Beschichten führen wir eine erste Reinigung durch, nach dem Beschichten führen wir eine zweite Reinigung durch.
Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung | |
Eigentum | Typischer Wert |
Kristallstruktur | Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert |
Dichte | 3,21 g/cm³ |
Härte | 2500 Vickers-Härte (500 g Belastung) |
Körnung | 2~10μm |
Chemische Reinheit | 99,99995 % |
Wärmekapazität | 640 J·kg-1·K-1 |
Sublimationstemperatur | 2700℃ |
Biegefestigkeit | 415 MPa RT 4-Punkt |
Elastizitätsmodul | 430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃ |
Wärmeleitfähigkeit | 300W·m-1·K-1 |
Wärmeausdehnung (CTE) | 4,5×10-6K-1 |