2024-09-23
Die poröse Struktur von Graphit
Poröser Graphit ist ein Produkt mit poröser Struktur, das aus Graphit als Grundmaterial besteht. Sein Material besteht aus hochreinem Graphit. Die physikalischen Parameter von VeTek Semiconductor Porous Graphite variieren je nach Produktionsprozess und spezifischer Anwendung. Im Folgenden sind allgemeine physikalische Parameter aufgeführt:
Typische physikalische Eigenschaften vonporöser Graphit
lt
Parameter
Schüttdichte
0,89 g/cm2
Druckfestigkeit
8,27 MPa
Biegefestigkeit
8,27 MPa
Zugfestigkeit
1,72 MPa
Spezifischer Widerstand
130Ω-inX10-5
Porosität
50 %
Durchschnittliche Porengröße
70 um
Wärmeleitfähigkeit
12W/M*K
Poröser Graphit besteht aus hochreinem Graphit und weist eine hervorragende elektrische Leitfähigkeit, Wärmeleitfähigkeit, hohe Temperaturbeständigkeit, Oxidationsbeständigkeit, chemische Stabilität und andere Eigenschaften auf. Es wird häufig in der Halbleiterverarbeitungsindustrie eingesetzt.
Im Halbleiterverarbeitungsprozess wird poröser Graphit in folgenden Aspekten häufig verwendet:
In Kombination mit der hervorragenden Hochtemperaturbeständigkeit und chemischen Stabilität von porösem Graphit, wie z. B. einer guten Korrosionsbeständigkeit gegenüber den meisten Chemikalien wie Säuren, Laugen und Lösungsmitteln, wird poröser Graphit häufig in Hochtemperatur-Sinter- und Wärmebehandlungsanlagen verwendet. Poröser Graphit kann beispielsweise als Auskleidung, Isolationsmaterial oder Stützmaterial für Hochtemperaturöfen verwendet werden.
Darüber hinaus verfügt die poröse Graphitkomponente über eine hervorragende elektrische Leitfähigkeit und thermische Stabilität, um ein gleichmäßiges Wärmefeld und stabile elektrische Eigenschaften zu gewährleisten.
Daher wird dieses Produkt häufig in der verwendetDiffusions- oder Oxidationsprozessder Halbleiterverarbeitung als Diffusionsquelle oder Elektrodenmaterial.
Die poröse Struktur von porösem Graphit kann bei der Halbleiterverarbeitung verwendete Gase filtern und reinigen, mögliche Partikelverunreinigungen reduzieren und eine hohe Sauberkeit während der Verarbeitung gewährleisten.
Aufgrund seiner porösen Struktur und guten Luftdurchlässigkeit können Teile aus porösem Graphit auch als Basis und Halterung in einem Vakuumadsorptionssystem verwendet werden, um Wafer oder andere Komponenten durch effiziente Vakuumadsorption zu fixieren.
Durch die Anpassung des Sinterprozesses von Graphit kann VeTek Semiconductor dies tunPassen Sie poröse Graphitmaterialien mit unterschiedlichen Porengrößen und Porositäten an, um unterschiedliche Anwendungsanforderungen zu erfüllen.
Poröser Graphit Poröser Graphit mit SiC-Kristallwachstum Dreiblättriger Graphittiegel
Tatsächlich hat VeTek Semiconductor eine absolut marktführende Position auf dem chinesischen Markt für SIC-beschichtete Graphit-Suszeptoren, TAC-beschichtete Graphittiegel und Siliziumkarbid-beschichtete Graphitschalen. VeTek Semiconductor ist ein professioneller chinesischer Hersteller, Lieferant und Fabrik für Spezialgraphitprodukte, wie zPoröser Graphit mit SiC-Kristallwachstum, Pyrolytische Kohlenstoffbeschichtung, Glaskohlenstoffbeschichtung, Isotroper Graphit, Silikonisierter GraphitUndHochreine Graphitplatte. Wir sind bestrebt, fortschrittliche Lösungen für verschiedene Spezialgraphitprodukte für die Halbleiterindustrie bereitzustellen.
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