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Branchennachrichten

Was ist der Unterschied zwischen Epitaxie und ALD?

Der Hauptunterschied zwischen Epitaxie und Atomlagenabscheidung (ALD) liegt in ihren Filmwachstumsmechanismen und Betriebsbedingungen. Unter Epitaxie versteht man den Prozess des Züchtens eines kristallinen Dünnfilms auf einem kristallinen Substrat mit einer bestimmten Orientierungsbeziehung, wobei ......

Was ist CVD-TAC-Beschichtung?

Die CVD-TAC-Beschichtung ist ein Verfahren zur Bildung einer dichten und dauerhaften Beschichtung auf einem Substrat (Graphit). Bei dieser Methode wird TaC bei hohen Temperaturen auf der Substratoberfläche abgeschieden, was zu einer Tantalcarbid (TaC)-Beschichtung mit ausgezeichneter thermischer Sta......

Aufrollen! Zwei große Hersteller stehen kurz vor der Massenproduktion von 8-Zoll-Siliziumkarbid

Während das 8-Zoll-Siliziumkarbid (SiC)-Verfahren ausgereift ist, beschleunigen die Hersteller die Umstellung von 6 Zoll auf 8 Zoll. Kürzlich haben ON Semiconductor und Resonac Updates zur 8-Zoll-SiC-Produktion angekündigt.

Fortschritte bei der 200-mm-SiC-Epitaxietechnologie von LPE in Italien

In diesem Artikel werden die neuesten Entwicklungen im neu entwickelten PE1O8-Heißwand-CVD-Reaktor des italienischen Unternehmens LPE und seine Fähigkeit vorgestellt, eine gleichmäßige 4H-SiC-Epitaxie auf 200 mm SiC durchzuführen.

Wärmefelddesign für das Wachstum von SiC-Einkristallen

Angesichts der wachsenden Nachfrage nach SiC-Materialien in der Leistungselektronik, Optoelektronik und anderen Bereichen wird die Entwicklung der SiC-Einkristall-Wachstumstechnologie zu einem Schlüsselbereich wissenschaftlicher und technologischer Innovation. Als Kernstück der Ausrüstung für die Zü......

Chipherstellung: Ein Prozessablauf von MOSFET

Der Chip-Herstellungsprozess umfasst Photolithographie, Ätzen, Diffusion, Dünnfilm, Ionenimplantation, chemisch-mechanisches Polieren, Reinigen usw. In diesem Artikel wird grob erläutert, wie diese Prozesse nacheinander zur Herstellung eines MOSFET integriert werden.

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