Wenn der EPI-Empfänger

VeTek Semiconductor ist eine Fabrik, die Präzisionsbearbeitung und Halbleiter-SiC- und TaC-Beschichtungskapazitäten kombiniert. Der Si-Epi-Suszeptor vom Trommeltyp bietet Möglichkeiten zur Temperatur- und Atmosphärenkontrolle und verbessert so die Produktionseffizienz bei Halbleiter-Epitaxie-Wachstumsprozessen. Wir freuen uns auf den Aufbau einer Kooperationsbeziehung mit Ihnen.

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Produktbeschreibung

Im Folgenden wird ein hochwertiger Si-Epi-Suszeptor vorgestellt, der Ihnen dabei helfen soll, den Barrel-Typ-Si-Epi-Suszeptor besser zu verstehen. Begrüßen Sie neue und alte Kunden, um weiterhin mit uns zusammenzuarbeiten und eine bessere Zukunft zu schaffen!

Ein Epitaxiereaktor ist ein spezielles Gerät, das für das epitaktische Wachstum in der Halbleiterfertigung verwendet wird. Der Si-Epi-Suszeptor vom Fasstyp bietet eine Umgebung, die Temperatur, Atmosphäre und andere wichtige Parameter steuert, um neue Kristallschichten auf der Waferoberfläche abzuscheiden.

Der Hauptvorteil des Barrel Type Si Epi Susceptor ist seine Fähigkeit, mehrere Chips gleichzeitig zu verarbeiten, was die Produktionseffizienz erhöht. Normalerweise verfügt es über mehrere Halterungen oder Klemmen zum Halten mehrerer Wafer, sodass mehrere Wafer gleichzeitig im selben Wachstumszyklus gezüchtet werden können. Diese Funktion mit hohem Durchsatz reduziert Produktionszyklen und -kosten und verbessert die Produktionseffizienz.

Darüber hinaus bietet der Barrel Type Si Epi Susceptor eine optimierte Temperatur- und Atmosphärenkontrolle. Es ist mit einem fortschrittlichen Temperaturkontrollsystem ausgestattet, das in der Lage ist, die gewünschte Wachstumstemperatur präzise zu steuern und aufrechtzuerhalten. Gleichzeitig sorgt es für eine gute Atmosphärenkontrolle und stellt sicher, dass jeder Chip unter den gleichen Atmosphärenbedingungen gezüchtet wird. Dies trägt dazu bei, ein gleichmäßiges Wachstum der Epitaxieschicht zu erreichen und die Qualität und Konsistenz der Epitaxieschicht zu verbessern.

Im Barrel Type Si Epi Susceptor erreicht der Chip normalerweise eine gleichmäßige Temperaturverteilung und Wärmeübertragung durch Luftstrom oder Flüssigkeitsstrom. Diese gleichmäßige Temperaturverteilung trägt dazu bei, die Bildung von Hot Spots und Temperaturgradienten zu vermeiden und dadurch die Gleichmäßigkeit der Epitaxieschicht zu verbessern.

Ein weiterer Vorteil besteht darin, dass der Barrel Type Si Epi Susceptor Flexibilität und Skalierbarkeit bietet. Es kann für verschiedene Epitaxiematerialien, Chipgrößen und Wachstumsparameter angepasst und optimiert werden. Dies ermöglicht Forschern und Ingenieuren eine schnelle Prozessentwicklung und -optimierung, um den epitaktischen Wachstumsanforderungen verschiedener Anwendungen und Anforderungen gerecht zu werden.

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung:

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung
Eigentum	Typischer Wert
Kristallstruktur	Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert
Dichte	3,21 g/cm³
Härte	2500 Vickers-Härte (500 g Belastung)
Körnung	2~10μm
Chemische Reinheit	99,99995 %
Wärmekapazität	640 J·kg-1·K-1
Sublimationstemperatur	2700℃
Biegefestigkeit	415 MPa RT 4-Punkt
Elastizitätsmodul	430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃
Wärmeleitfähigkeit	300W·m-1·K-1
Wärmeausdehnung (CTE)	4,5×10-6K-1