SiC-beschichteter Zylindersuszeptor

VeTek Semiconductor ist ein führender Hersteller, Lieferant und Exporteur von SiC-Beschichtungen und TaC-Beschichtungen in China. Das Streben nach perfekter Produktqualität sorgt dafür, dass viele Kunden mit unserem SiC-beschichteten Fasssuszeptor zufrieden sind. Extremes Design, hochwertige Rohstoffe, hohe Leistung und wettbewerbsfähige Preise sind das, was jeder Kunde wünscht, und das können wir Ihnen auch bieten. Selbstverständlich gehört auch unser perfekter After-Sales-Service dazu. Wenn Sie an unseren Dienstleistungen für SiC-beschichtete Fasssuszeptoren interessiert sind, können Sie sich jetzt an uns wenden. Wir werden Ihnen rechtzeitig antworten!

VeTek Semiconductor SiC Coated Barrel Susceptor wird hauptsächlich für LPE Si EPI-Reaktoren verwendet

Die LPE-Siliziumepitaxie (Liquid Phase Epitaxy) ist eine häufig verwendete Halbleiter-Epitaxie-Wachstumstechnik zur Abscheidung dünner Schichten einkristallinen Siliziums auf Siliziumsubstraten. Es handelt sich um eine Flüssigphasen-Wachstumsmethode, die auf chemischen Reaktionen in einer Lösung basiert, um ein Kristallwachstum zu erreichen.

Das Grundprinzip der LPE-Siliziumepitaxie besteht darin, das Substrat in eine Lösung einzutauchen, die das gewünschte Material enthält, die Temperatur und die Lösungszusammensetzung zu kontrollieren und das Material in der Lösung als einkristalline Siliziumschicht wachsen zu lassen 

auf der Substratoberfläche. Durch Anpassen der Wachstumsbedingungen und Lösungszusammensetzung während des epitaktischen Wachstums können die gewünschte Kristallqualität, Dicke und Dotierungskonzentration erreicht werden.

Die LPE-Siliziumepitaxie bietet mehrere Eigenschaften und Vorteile. Erstens kann es bei relativ niedrigen Temperaturen durchgeführt werden, wodurch die thermische Belastung und die Diffusion von Verunreinigungen im Material reduziert werden. Zweitens bietet die LPE-Siliziumepitaxie eine hohe Gleichmäßigkeit und eine hervorragende Kristallqualität, die sich für die Herstellung von Hochleistungs-Halbleiterbauelementen eignet. Darüber hinaus ermöglicht die LPE-Technologie das Wachstum komplexer Strukturen wie Mehrschicht- und Heterostrukturen.

Bei der LPE-Siliziumepitaxie ist der SiC-beschichtete Barrel-Suszeptor eine entscheidende epitaktische Komponente. Es wird typischerweise zum Halten und Stützen der für das epitaktische Wachstum erforderlichen Siliziumsubstrate verwendet und sorgt gleichzeitig für die Temperatur- und Atmosphärenkontrolle. Die SiC-Beschichtung verbessert die Hochtemperaturbeständigkeit und chemische Stabilität des Suszeptors und erfüllt die Anforderungen des epitaktischen Wachstumsprozesses. Durch die Verwendung des SiC-beschichteten Barrel-Suszeptors können die Effizienz und Konsistenz des epitaktischen Wachstums verbessert werden, wodurch das Wachstum hochwertiger epitaktischer Schichten sichergestellt wird.

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung

CVD-SIC-FILM-KRISTALLSTRUKTUR