SiC-beschichteter Epi-Rezeptor

Als führender inländischer Hersteller von Siliziumkarbid- und Tantalkarbid-Beschichtungen ist VeTek Semiconductor in der Lage, eine Präzisionsbearbeitung und gleichmäßige Beschichtung von SiC-beschichteten Epi-Suszeptoren zu gewährleisten und die Reinheit der Beschichtung und des Produkts effektiv auf unter 5 ppm zu kontrollieren. Die Produktlebensdauer ist vergleichbar mit der von SGL. Gerne können Sie uns anfragen.

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Produktbeschreibung

Sie können sicher sein, SiC-beschichtete Epi-Suszeptoren in unserer Fabrik zu kaufen.

VeTek Semiconductor SiC Coated Epi Susceptor ist ein Epitaxiezylinder, ein Spezialwerkzeug für den epitaktischen Wachstumsprozess von Halbleitern mit vielen Vorteilen:

Effiziente Produktionskapazität: Der SiC-beschichtete Epi-Suszeptor kann mehrere Wafer aufnehmen und ermöglicht so das gleichzeitige epitaktische Wachstum mehrerer Wafer. Diese effiziente Produktionskapazität kann die Produktionseffizienz erheblich verbessern und Produktionszyklen und -kosten reduzieren.

Optimierte Temperaturkontrolle: Der SiC-beschichtete Epi-Suszeptor ist mit einem fortschrittlichen Temperaturkontrollsystem ausgestattet, um die gewünschte Wachstumstemperatur präzise zu kontrollieren und aufrechtzuerhalten. Eine stabile Temperaturkontrolle trägt dazu bei, ein gleichmäßiges Wachstum der Epitaxieschicht zu erreichen und die Qualität und Konsistenz der Epitaxieschicht zu verbessern.

Gleichmäßige Atmosphärenverteilung: Der SiC-beschichtete Epi-Suszeptor sorgt während des Wachstums für eine gleichmäßige Atmosphärenverteilung und stellt sicher, dass jeder Wafer den gleichen Atmosphärenbedingungen ausgesetzt ist. Dadurch werden Wachstumsunterschiede zwischen Wafern vermieden und die Gleichmäßigkeit der Epitaxieschicht verbessert.

Effektive Verunreinigungskontrolle: Das SiC-beschichtete Epi-Suszeptor-Design trägt dazu bei, die Einführung und Diffusion von Verunreinigungen zu reduzieren. Es kann für eine gute Abdichtung und Atmosphärenkontrolle sorgen, den Einfluss von Verunreinigungen auf die Qualität der Epitaxieschicht verringern und so die Leistung und Zuverlässigkeit der Vorrichtung verbessern.

Flexible Prozessentwicklung: Der SiC-beschichtete Epi-Suszeptor verfügt über flexible Prozessentwicklungsmöglichkeiten, die eine schnelle Anpassung und Optimierung der Wachstumsparameter ermöglichen. Dies ermöglicht Forschern und Ingenieuren eine schnelle Prozessentwicklung und -optimierung, um den epitaktischen Wachstumsanforderungen verschiedener Anwendungen und Anforderungen gerecht zu werden.

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung:

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung
Eigentum	Typischer Wert
Kristallstruktur	Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert
Dichte	3,21 g/cm³
Härte	2500 Vickers-Härte (500 g Belastung)
Körnung	2~10μm
Chemische Reinheit	99,99995 %
Wärmekapazität	640 J·kg-1·K-1
Sublimationstemperatur	2700℃
Biegefestigkeit	415 MPa RT 4-Punkt
Elastizitätsmodul	430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃
Wärmeleitfähigkeit	300W·m-1·K-1
Wärmeausdehnung (CTE)	4,5×10-6K-1

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Überblick über die Industriekette der Halbleiterchip-Epitaxie:

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