Die monokristalline Silizium-Epitaxieschale mit SiC-Beschichtung ist ein wichtiges Zubehör für den Epitaxie-Wachstumsofen für monokristallines Silizium und sorgt für minimale Verschmutzung und eine stabile Epitaxie-Wachstumsumgebung. Die monokristalline Silizium-Epitaxieschale von VeTek Semiconductor mit SiC-Beschichtung hat eine extrem lange Lebensdauer und bietet eine Vielzahl von Anpassungsoptionen. VeTek Semiconductor freut sich darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.
Die monokristalline Silizium-Epitaxieschale mit SiC-Beschichtung von VeTek Semiconductor ist speziell für das epitaktische Wachstum von monokristallinem Silizium konzipiert und spielt eine wichtige Rolle bei der industriellen Anwendung der monokristallinen Siliziumepitaxie und verwandter Halbleiterbauelemente.SiC-Beschichtungverbessert nicht nur die Temperaturbeständigkeit und Korrosionsbeständigkeit der Wanne deutlich, sondern sorgt auch für Langzeitstabilität und hervorragende Leistung in extremen Umgebungen.
● Hohe Wärmeleitfähigkeit: Die SiC-Beschichtung verbessert die Wärmemanagementfähigkeit des Tabletts erheblich und kann die von Hochleistungsgeräten erzeugte Wärme effektiv ableiten.
● Korrosionsbeständigkeit: Die SiC-Beschichtung funktioniert gut bei hohen Temperaturen und in korrosiven Umgebungen und gewährleistet eine langfristige Lebensdauer und Zuverlässigkeit.
● Oberflächengleichmäßigkeit: Bietet eine ebene und glatte Oberfläche, vermeidet effektiv Herstellungsfehler durch Oberflächenunebenheiten und gewährleistet die Stabilität des epitaktischen Wachstums.
Untersuchungen zufolge kann eine SiC-Gradientenbeschichtung auf dem Graphitsubstrat hergestellt werden, wenn die Porengröße des Graphitsubstrats zwischen 100 und 500 nm liegt und die SiC-Beschichtung eine stärkere Antioxidationsfähigkeit aufweist. Die Oxidationsbeständigkeit der SiC-Beschichtung auf diesem Graphit (dreieckige Kurve) ist viel stärker als die anderer Graphitspezifikationen und eignet sich für das Wachstum von Einkristall-Siliziumepitaxie. Die SiC-Beschichtung der monokristallinen Silizium-Epitaxieschale von VeTek Semiconductor verwendet SGL-Graphit alsGraphitsubstrat, der in der Lage ist, eine solche Leistung zu erzielen.
Die SiC-Beschichtung der monokristallinen Silizium-Epitaxieschale von VeTek Semiconductor verwendet die besten Materialien und die fortschrittlichste Verarbeitungstechnologie. Am wichtigsten ist, dass wir unser Bestes tun können, um sie zu erfüllen, ganz gleich, welche Anforderungen unsere Kunden an die Produktanpassung haben.
Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung
Eigentum
Typischer Wert
Kristallstruktur
Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert
Dichte
3,21 g/cm³
Härte
2500 Vickers-Härte (500 g Belastung)
Korn Size
2~10μm
Chemische Reinheit
99,99995 %
Wärmekapazität
640 J·kg-1·K-1
Sublimationstemperatur
2700℃
Biegefestigkeit
415 MPa RT 4-Punkt
Elastizitätsmodul
430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃
Wärmeleitfähigkeit
300W·m-1·K-1
Wärmeausdehnung (CTE)
4,5×10-6K-1