SiN-Substrat

Das SiN-Substrat von VeTek Semiconductor ist ein fortschrittlichesKeramikmaterialdas aufgrund seiner hervorragenden mechanischen, elektrischen und thermischen Eigenschaften große Aufmerksamkeit erregt hat. Diese KeramikSubstratbesteht aus Silizium- und Stickstoffatomen, die durch eine spezielle Kristallstruktur verbunden sind und eine einzigartige Festigkeit, Haltbarkeit und Hitzebeständigkeit aufweisen. SiN-Substrate sind in Hochleistungsanwendungen wie Halbleiterbauelementen unverzichtbar und ihre Eigenschaften verbessern die Effizienz und Zuverlässigkeit von integrierten Schaltkreisen (ICs), Sensoren usw. erheblichMikroelektromechanische Systeme (MEMS).

Produktmerkmale von SiN-Substraten：

Hervorragende Wärmeleitfähigkeit: Das Wärmemanagement spielt eine wichtige Rolle für die Leistung von Halbleiterbauelementen. Die Wärmeleitfähigkeit der SiN-Keramikplatte beträgt bis zu 130 W/m·K, wodurch die Wärme von elektronischen Bauteilen effektiv abgeleitet und eine Überhitzung verhindert werden kann, wodurch die Lebensdauer der Geräte verlängert wird.

Chemische Stabilität und Korrosionsbeständigkeit: Siliziumnitrid weist eine äußerst hohe Beständigkeit gegen chemische Korrosion auf und eignet sich besonders für den Einsatz in Umgebungen, die Chemikalien oder extremen Temperaturen ausgesetzt sind. Selbst in Umgebungen mit korrosiven Gasen, Säuren und Laugen behalten SiN-Substrate ihre strukturelle Integrität und gewährleisten so eine langfristige Zuverlässigkeit in industriellen Anwendungen.

Hohe Temperaturwechselbeständigkeit: SiN-Substrate können schnellen Temperaturänderungen bis zu 1200 °C ohne Thermoschock oder Rissbildung standhalten. Diese Eigenschaft ist in Bereichen wie der Leistungselektronik und Hochtemperatursensoren von entscheidender Bedeutung, die häufig durch plötzliche Temperaturänderungen beeinträchtigt werden.

Hohe Festigkeit und Zähigkeit: Im Vergleich zu anderen Keramikmaterialien ist die Druckfestigkeit vonSiN-Keramiksubstratkann 600 MPa erreichen und weist eine ausgezeichnete Zähigkeit auf. Dadurch kann es Rissbildung wirksam widerstehen und die strukturelle Integrität in hochbelasteten und präzisionsgefertigten Halbleiterprozessen aufrechterhalten, wodurch mechanische Stabilität gewährleistet wird.

Überblick über die Herstellung von Silizium/Siliziumnitrid (Si/SiN) TEM

Das Siliziumnitrid (SiN)-Substrat von VeTek Semiconductor hat sich aufgrund seiner hervorragenden Produkteigenschaften zu einem Schlüsselmaterial in der Halbleiterindustrie und anderen Bereichen entwickelt. Insbesondere in den Bereichen Halbleiterbauelemente, MEMS, Optoelektronik und Leistungselektronik sind SiN-Substrate wichtige Eckpfeiler der Entwicklung zukünftiger elektronischer Technologien.

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