Aixtron MOCVD-Rezeptor

Als professioneller Hersteller und Lieferant von Aixtron MOCVD Susceptoren in China wird der Aixtron MOCVD Susceptor von Vetek Semiconductor häufig im Dünnschichtabscheidungsprozess der Halbleiterproduktion eingesetzt, insbesondere im MOCVD-Prozess. Vetek Semiconductor konzentriert sich auf die Herstellung und Lieferung leistungsstarker Aixtron MOCVD Susceptor-Produkte. Begrüßen Sie Ihre Anfrage.

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Produktbeschreibung

Die Suszeptoren hergestellt vonVetek Semiconductorbestehen aus Graphitsubstrat und Siliziumkarbid (SiC)-Beschichtungsmaterial. Aufgrund der höheren Verschleißfestigkeit, Korrosionsbeständigkeit und extrem hohen Härte des SiC-Materials eignet es sich besonders für den Einsatz in rauen Prozessumgebungen. Daher können die von Vetek Semiconductor hergestellten Suszeptoren ohne zusätzliche Oberflächenbehandlung direkt in Hochtemperatur-MOCVD-Prozessen eingesetzt werden.

Suszeptoren sind Schlüsselkomponenten in der Halbleiterfertigung, insbesondere in MOCVD-Geräten für Dünnschichtabscheidungsprozesse. Die Hauptrolle vonAixtron SiC-EmpfängerBeim MOCVD-Prozess geht es darum, Halbleiterwafer zu transportieren, eine gleichmäßige und qualitativ hochwertige Abscheidung von Dünnfilmen durch Bereitstellung einer gleichmäßigen Wärmeverteilung und Reaktionsumgebung sicherzustellen und so eine qualitativ hochwertige Dünnfilmproduktion zu erreichen.

Aixtron MOCVD-Rezeptorwird normalerweise zur Unterstützung und Fixierung der Basis von Halbleiterwafern verwendet, um die Stabilität des Wafers während des Abscheidungsprozesses zu gewährleisten. Gleichzeitig besteht die Oberflächenbeschichtung des Aixtron MOCVD Susceptor aus Siliziumkarbid (SiC), einem hochwärmeleitenden Material. Die SiC-Beschichtung sorgt für eine gleichmäßige Temperatur auf der Oberfläche des Wafers und eine gleichmäßige Erwärmung ist für die Erzielung hochwertiger Filme unerlässlich.

Darüber hinaus ist dieAixtron MOCVD-RezeptorDie von uns hergestellten Materialien spielen durch die optimierte Gestaltung der Materialien eine größere Rolle bei der Steuerung des Flusses und der Verteilung reaktiver Gase. Vermeiden Sie Wirbelströme und Temperaturgradienten, um eine gleichmäßige Filmabscheidung zu erreichen.

Noch wichtiger ist, dass beim MOCVD-Verfahren das Beschichtungsmaterial aus Siliziumkarbid (SiC) korrosionsbeständig istVetek Semiconductor'SAixtron MOCVD-Rezeptorhält auch hohen Temperaturen und korrosiven Gasen stand.

Grundlegende physikalische Eigenschaften vonSIC-BESCHICHTUNG: