VeTek Semiconductor ist ein professioneller Hersteller und Lieferant, der sich der Bereitstellung hochwertiger epitaktischer GaN-Suszeptoren auf Siliziumbasis widmet. Der Suszeptorhalbleiter wird im VEECO K465i GaN MOCVD-System verwendet, hohe Reinheit, hohe Temperaturbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit, willkommen bei uns anzufragen und mit uns zusammenzuarbeiten!
VeTek Semiconducto ist ein professioneller, führender Hersteller von GaN-Epitaxial-Suszeptoren auf Siliziumbasis in China mit hoher Qualität und angemessenem Preis. Nehmen Sie gerne Kontakt mit uns auf.
Der siliziumbasierte GaN-Epitaxie-Suszeptor von VeTek Semiconductor ist der siliziumbasierte GaN-Epitaxie-Suszeptor eine Schlüsselkomponente im VEECO K465i GaN-MOCVD-System zur Unterstützung und Erwärmung des Siliziumsubstrats des GaN-Materials während des epitaktischen Wachstums.
Der auf Silizium basierende GaN-Epitaxie-Suszeptor von VeTek Semiconductor verwendet hochreines und hochwertiges Graphitmaterial als Substrat, das eine gute Stabilität und Wärmeleitung im epitaktischen Wachstumsprozess aufweist. Dieses Substrat hält Umgebungen mit hohen Temperaturen stand und gewährleistet so die Stabilität und Zuverlässigkeit des epitaktischen Wachstumsprozesses.
Um die Effizienz und Qualität des epitaktischen Wachstums zu verbessern, wird für die Oberflächenbeschichtung dieses Suszeptors hochreines und gleichmäßiges Siliziumkarbid verwendet. Die Siliziumkarbidbeschichtung weist eine ausgezeichnete Hochtemperaturbeständigkeit und chemische Stabilität auf und kann der chemischen Reaktion und Korrosion im epitaktischen Wachstumsprozess wirksam widerstehen.
Das Design und die Materialauswahl dieses Wafer-Suszeptors sind darauf ausgelegt, optimale Wärmeleitfähigkeit, chemische Stabilität und mechanische Festigkeit zu bieten, um ein qualitativ hochwertiges GaN-Epitaxiewachstum zu unterstützen. Seine hohe Reinheit und Gleichmäßigkeit sorgen für Konsistenz und Gleichmäßigkeit während des Wachstums, was zu einem hochwertigen GaN-Film führt.
Im Allgemeinen handelt es sich bei dem siliziumbasierten GaN-Epitaxialsuszeptor um ein Hochleistungsprodukt, das speziell für das VEECO K465i GaN-MOCVD-System entwickelt wurde und ein hochreines, hochwertiges Graphitsubstrat und eine hochreine, gleichmäßige Siliziumkarbidbeschichtung verwendet. Es bietet Stabilität, Zuverlässigkeit und hochwertige Unterstützung für den epitaktischen Wachstumsprozess.
Physikalische Eigenschaften von isostatischem Graphit | ||
Eigentum | Einheit | Typischer Wert |
Schüttdichte | g/cm³ | 1.83 |
Härte | HSD | 58 |
Elektrischer widerstand | mΩ.m | 10 |
Biegefestigkeit | MPa | 47 |
Druckfestigkeit | MPa | 103 |
Zugfestigkeit | MPa | 31 |
Elastizitätsmodul | GPa | 11.8 |
Wärmeausdehnung (CTE) | 10-6K-1 | 4.6 |
Wärmeleitfähigkeit | W·m-1·K-1 | 130 |
Durchschnittliche Korngröße | μm | 8-10 |
Porosität | % | 10 |
Aschegehalt | ppm | ≤10 (nach der Reinigung) |
Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung | |
Eigentum | Typischer Wert |
Kristallstruktur | Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert |
Dichte | 3,21 g/cm³ |
Härte | 2500 Vickers-Härte (500 g Belastung) |
Körnung | 2~10μm |
Chemische Reinheit | 99,99995 % |
Wärmekapazität | 640 J·kg-1·K-1 |
Sublimationstemperatur | 2700℃ |
Biegefestigkeit | 415 MPa RT 4-Punkt |
Elastizitätsmodul | 430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃ |
Wärmeleitfähigkeit | 300W·m-1·K-1 |
Wärmeausdehnung (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Hinweis: Vor dem Beschichten führen wir eine erste Reinigung durch, nach dem Beschichten führen wir eine zweite Reinigung durch.