GaN-Epitaxie-Suszeptor auf Siliziumbasis

VeTek Semiconductor ist ein professioneller Hersteller und Lieferant, der sich der Bereitstellung hochwertiger epitaktischer GaN-Suszeptoren auf Siliziumbasis widmet. Der Suszeptorhalbleiter wird im VEECO K465i GaN MOCVD-System verwendet, hohe Reinheit, hohe Temperaturbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit, willkommen bei uns anzufragen und mit uns zusammenzuarbeiten!

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Produktbeschreibung

VeTek Semiconducto ist ein professioneller, führender Hersteller von GaN-Epitaxial-Suszeptoren auf Siliziumbasis in China mit hoher Qualität und angemessenem Preis. Nehmen Sie gerne Kontakt mit uns auf.

Der siliziumbasierte GaN-Epitaxie-Suszeptor von VeTek Semiconductor ist der siliziumbasierte GaN-Epitaxie-Suszeptor eine Schlüsselkomponente im VEECO K465i GaN-MOCVD-System zur Unterstützung und Erwärmung des Siliziumsubstrats des GaN-Materials während des epitaktischen Wachstums.

Der auf Silizium basierende GaN-Epitaxie-Suszeptor von VeTek Semiconductor verwendet hochreines und hochwertiges Graphitmaterial als Substrat, das eine gute Stabilität und Wärmeleitung im epitaktischen Wachstumsprozess aufweist. Dieses Substrat hält Umgebungen mit hohen Temperaturen stand und gewährleistet so die Stabilität und Zuverlässigkeit des epitaktischen Wachstumsprozesses.

Um die Effizienz und Qualität des epitaktischen Wachstums zu verbessern, wird für die Oberflächenbeschichtung dieses Suszeptors hochreines und gleichmäßiges Siliziumkarbid verwendet. Die Siliziumkarbidbeschichtung weist eine ausgezeichnete Hochtemperaturbeständigkeit und chemische Stabilität auf und kann der chemischen Reaktion und Korrosion im epitaktischen Wachstumsprozess wirksam widerstehen.

Das Design und die Materialauswahl dieses Wafer-Suszeptors sind darauf ausgelegt, optimale Wärmeleitfähigkeit, chemische Stabilität und mechanische Festigkeit zu bieten, um ein qualitativ hochwertiges GaN-Epitaxiewachstum zu unterstützen. Seine hohe Reinheit und Gleichmäßigkeit sorgen für Konsistenz und Gleichmäßigkeit während des Wachstums, was zu einem hochwertigen GaN-Film führt.

Im Allgemeinen handelt es sich bei dem siliziumbasierten GaN-Epitaxialsuszeptor um ein Hochleistungsprodukt, das speziell für das VEECO K465i GaN-MOCVD-System entwickelt wurde und ein hochreines, hochwertiges Graphitsubstrat und eine hochreine, gleichmäßige Siliziumkarbidbeschichtung verwendet. Es bietet Stabilität, Zuverlässigkeit und hochwertige Unterstützung für den epitaktischen Wachstumsprozess.

Physikalische Eigenschaften von isostatischem Graphit
Eigentum	Einheit	Typischer Wert
Schüttdichte	g/cm³	1.83
Härte	HSD	58
Elektrischer widerstand	mΩ.m	10
Biegefestigkeit	MPa	47
Druckfestigkeit	MPa	103
Zugfestigkeit	MPa	31
Elastizitätsmodul	GPa	11.8
Wärmeausdehnung (CTE)	10-6K-1	4.6
Wärmeleitfähigkeit	W·m-1·K-1	130
Durchschnittliche Korngröße	μm	8-10
Porosität	%	10
Aschegehalt	ppm	≤10 (nach der Reinigung)

Physikalische Eigenschaften des siliziumbasierten GaN-Epitaxie-Suszeptors:

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung
Eigentum	Typischer Wert
Kristallstruktur	Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert
Dichte	3,21 g/cm³
Härte	2500 Vickers-Härte (500 g Belastung)
Körnung	2~10μm
Chemische Reinheit	99,99995 %
Wärmekapazität	640 J·kg-1·K-1
Sublimationstemperatur	2700℃
Biegefestigkeit	415 MPa RT 4-Punkt
Elastizitätsmodul	430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃
Wärmeleitfähigkeit	300W·m-1·K-1
Wärmeausdehnung (CTE)	4,5×10-6K-1

Hinweis: Vor dem Beschichten führen wir eine erste Reinigung durch, nach dem Beschichten führen wir eine zweite Reinigung durch.

VeTek Halbleiterproduktionswerkstatt

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