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Abdeckungssegmente mit SiC-Beschichtung
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Abdeckungssegmente mit SiC-Beschichtung

Vetek Semiconductor widmet sich der Weiterentwicklung und Kommerzialisierung der CVD-SiC-Beschichtung und der CVD-TaC-Beschichtung. Beispielsweise werden unsere SiC-Beschichtungs-Abdecksegmente einer sorgfältigen Verarbeitung unterzogen, was zu einer dichten CVD-SiC-Beschichtung mit außergewöhnlicher Präzision führt. Es weist eine bemerkenswerte Beständigkeit gegenüber hohen Temperaturen auf und bietet einen robusten Korrosionsschutz. Wir freuen uns über Ihre Anfragen.

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Produktbeschreibung

Sie können sicher sein, SiC-Beschichtungs-Abdecksegmente in unserem Werk zu kaufen.

Die Mikro-LED-Technologie revolutioniert das bestehende LED-Ökosystem mit Methoden und Ansätzen, die bisher nur in der LCD- oder Halbleiterindustrie zu finden waren. Das Aixtron G5 MOCVD-System unterstützt diese strengen Erweiterungsanforderungen perfekt. Es handelt sich um einen leistungsstarken MOCVD-Reaktor, der hauptsächlich für das Wachstum von GaN-Epitaxie auf Siliziumbasis entwickelt wurde.

Aixtron G5 ist ein horizontales Planetenscheiben-Epitaxiesystem, das hauptsächlich aus Komponenten wie der CVD-SiC-Beschichtungs-Planetenscheibe, dem MOCVD-Suszeptor, den SiC-Beschichtungs-Abdecksegmenten, dem SiC-Beschichtungs-Abdeckring, der SiC-Beschichtungsdecke, dem SiC-Beschichtungs-Stützring und der SiC-Beschichtungs-Abdeckscheibe besteht. SiC-Beschichtung des Abgassammlers, der Stiftscheibe, des Sammlereinlassrings usw.

Als Hersteller von CVD-SiC-Beschichtungen bietet VeTek Semiconductor Aixtron G5 SiC-Beschichtungsabdeckungssegmente an. Diese Suszeptoren bestehen aus hochreinem Graphit und verfügen über eine CVD-SiC-Beschichtung mit Verunreinigungen unter 5 ppm.

CVD SiC Coating Cover Segments-Produkte weisen eine hervorragende Korrosionsbeständigkeit, hervorragende Wärmeleitfähigkeit und Hochtemperaturstabilität auf. Diese Produkte widerstehen wirksam chemischer Korrosion und Oxidation und gewährleisten Haltbarkeit und Stabilität in rauen Umgebungen. Die hervorragende Wärmeleitfähigkeit ermöglicht eine effiziente Wärmeübertragung und verbessert die Effizienz des Wärmemanagements. Aufgrund ihrer Hochtemperaturstabilität und Thermoschockbeständigkeit können CVD-SiC-Beschichtungen extremen Bedingungen standhalten. Sie verhindern die Auflösung und Oxidation des Graphitsubstrats, reduzieren die Kontamination und verbessern die Produktionseffizienz und Produktqualität. Die flache und gleichmäßige Beschichtungsoberfläche bietet eine solide Grundlage für das Filmwachstum, minimiert durch Gitterfehlanpassungen verursachte Defekte und verbessert die Kristallinität und Qualität des Films. Zusammenfassend lässt sich sagen, dass CVD-SiC-beschichtete Graphitprodukte zuverlässige Materiallösungen für verschiedene industrielle Anwendungen bieten und außergewöhnliche Korrosionsbeständigkeit, Wärmeleitfähigkeit und Hochtemperaturstabilität kombinieren.


Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung:

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung
Eigentum Typischer Wert
Kristallstruktur Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert
Dichte 3,21 g/cm³
Härte 2500 Vickers-Härte (500 g Belastung)
Körnung 2~10μm
Chemische Reinheit 99,99995 %
Wärmekapazität 640 J·kg-1·K-1
Sublimationstemperatur 2700℃
Biegefestigkeit 415 MPa RT 4-Punkt
Elastizitätsmodul 430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃
Wärmeleitfähigkeit 300W·m-1·K-1
Wärmeausdehnung (CTE) 4,5×10-6K-1


Industriekette:


Produktionswerkstatt


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