VeTek Semiconductor ist ein professioneller Hersteller und Lieferant, der sich der Bereitstellung hochwertiger MOCVD-Epitaxialsuszeptoren für 4-Zoll-Wafer verschrieben hat. Mit umfassender Branchenerfahrung und einem professionellen Team sind wir in der Lage, unseren Kunden kompetente und effiziente Lösungen zu liefern.
VeTek Semiconductor ist ein professioneller, führender chinesischer MOCVD-Epitaxialsuszeptor für 4-Zoll-Waferhersteller mit hoher Qualität und angemessenem Preis. Nehmen Sie gerne Kontakt mit uns auf. Der MOCVD-Epitaxialsuszeptor für 4-Zoll-Wafer ist eine entscheidende Komponente bei der metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung (MOCVD). Prozess, der häufig für das Wachstum hochwertiger epitaktischer Dünnfilme verwendet wird, darunter Galliumnitrid (GaN), Aluminiumnitrid (AlN) und Siliziumkarbid (SiC). Der Suszeptor dient als Plattform zum Halten des Substrats während des epitaktischen Wachstumsprozesses und spielt eine entscheidende Rolle bei der Gewährleistung einer gleichmäßigen Temperaturverteilung, einer effizienten Wärmeübertragung und optimaler Wachstumsbedingungen.
Der MOCVD-Epitaxialsuszeptor für 4-Zoll-Wafer besteht typischerweise aus hochreinem Graphit, Siliziumkarbid oder anderen Materialien mit ausgezeichneter Wärmeleitfähigkeit, chemischer Inertheit und Beständigkeit gegen Thermoschocks.
Epitaktische MOCVD-Suszeptoren finden in verschiedenen Branchen Anwendung, darunter:
Leistungselektronik: Wachstum von GaN-basierten High-Electron-Mobility-Transistoren (HEMTs) für Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen.
Optoelektronik: Wachstum von GaN-basierten Leuchtdioden (LEDs) und Laserdioden für effiziente Beleuchtungs- und Anzeigetechnologien.
Sensoren: Wachstum von AlN-basierten piezoelektrischen Sensoren zur Druck-, Temperatur- und Schallwellenerkennung.
Hochtemperaturelektronik: Wachstum von SiC-basierten Leistungsgeräten für Hochtemperatur- und Hochleistungsanwendungen.
Physikalische Eigenschaften von isostatischem Graphit | ||
Eigentum | Einheit | Typischer Wert |
Schüttdichte | g/cm³ | 1.83 |
Härte | HSD | 58 |
Elektrischer widerstand | mΩ.m | 10 |
Biegefestigkeit | MPa | 47 |
Druckfestigkeit | MPa | 103 |
Zugfestigkeit | MPa | 31 |
Elastizitätsmodul | GPa | 11.8 |
Wärmeausdehnung (CTE) | 10-6K-1 | 4.6 |
Wärmeleitfähigkeit | W·m-1·K-1 | 130 |
Durchschnittliche Korngröße | μm | 8-10 |
Porosität | % | 10 |
Aschegehalt | ppm | ≤10 (nach der Reinigung) |
Hinweis: Vor dem Beschichten führen wir eine erste Reinigung durch, nach dem Beschichten führen wir eine zweite Reinigung durch.
Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung | |
Eigentum | Typischer Wert |
Kristallstruktur | Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert |
Dichte | 3,21 g/cm³ |
Härte | 2500 Vickers-Härte (500 g Belastung) |
Körnung | 2~10μm |
Chemische Reinheit | 99,99995 % |
Wärmekapazität | 640 J·kg-1·K-1 |
Sublimationstemperatur | 2700℃ |
Biegefestigkeit | 415 MPa RT 4-Punkt |
Elastizitätsmodul | 430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃ |
Wärmeleitfähigkeit | 300W·m-1·K-1 |
Wärmeausdehnung (CTE) | 4,5×10-6K-1 |