MOCVD-Epitaxialsuszeptor für 4-Zoll-Wafer

VeTek Semiconductor ist ein professioneller Hersteller und Lieferant, der sich der Bereitstellung hochwertiger MOCVD-Epitaxialsuszeptoren für 4-Zoll-Wafer verschrieben hat. Mit umfassender Branchenerfahrung und einem professionellen Team sind wir in der Lage, unseren Kunden kompetente und effiziente Lösungen zu liefern.

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Produktbeschreibung

VeTek Semiconductor ist ein professioneller, führender chinesischer MOCVD-Epitaxialsuszeptor für 4-Zoll-Waferhersteller mit hoher Qualität und angemessenem Preis. Nehmen Sie gerne Kontakt mit uns auf. Der MOCVD-Epitaxialsuszeptor für 4-Zoll-Wafer ist eine entscheidende Komponente bei der metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung (MOCVD). Prozess, der häufig für das Wachstum hochwertiger epitaktischer Dünnfilme verwendet wird, darunter Galliumnitrid (GaN), Aluminiumnitrid (AlN) und Siliziumkarbid (SiC). Der Suszeptor dient als Plattform zum Halten des Substrats während des epitaktischen Wachstumsprozesses und spielt eine entscheidende Rolle bei der Gewährleistung einer gleichmäßigen Temperaturverteilung, einer effizienten Wärmeübertragung und optimaler Wachstumsbedingungen.

Der MOCVD-Epitaxialsuszeptor für 4-Zoll-Wafer besteht typischerweise aus hochreinem Graphit, Siliziumkarbid oder anderen Materialien mit ausgezeichneter Wärmeleitfähigkeit, chemischer Inertheit und Beständigkeit gegen Thermoschocks.

Anwendungen:

Epitaktische MOCVD-Suszeptoren finden in verschiedenen Branchen Anwendung, darunter:

Leistungselektronik: Wachstum von GaN-basierten High-Electron-Mobility-Transistoren (HEMTs) für Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen.

Optoelektronik: Wachstum von GaN-basierten Leuchtdioden (LEDs) und Laserdioden für effiziente Beleuchtungs- und Anzeigetechnologien.

Sensoren: Wachstum von AlN-basierten piezoelektrischen Sensoren zur Druck-, Temperatur- und Schallwellenerkennung.

Hochtemperaturelektronik: Wachstum von SiC-basierten Leistungsgeräten für Hochtemperatur- und Hochleistungsanwendungen.

Produktparameter des MOCVD-Epitaxialsuszeptors für 4-Zoll-Wafer

Physikalische Eigenschaften von isostatischem Graphit
Eigentum	Einheit	Typischer Wert
Schüttdichte	g/cm³	1.83
Härte	HSD	58
Elektrischer widerstand	mΩ.m	10
Biegefestigkeit	MPa	47
Druckfestigkeit	MPa	103
Zugfestigkeit	MPa	31
Elastizitätsmodul	GPa	11.8
Wärmeausdehnung (CTE)	10-6K-1	4.6
Wärmeleitfähigkeit	W·m-1·K-1	130
Durchschnittliche Korngröße	μm	8-10
Porosität	%	10
Aschegehalt	ppm	≤10 (nach der Reinigung)

Hinweis: Vor dem Beschichten führen wir eine erste Reinigung durch, nach dem Beschichten führen wir eine zweite Reinigung durch.

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung
Eigentum	Typischer Wert
Kristallstruktur	Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert
Dichte	3,21 g/cm³
Härte	2500 Vickers-Härte (500 g Belastung)
Körnung	2~10μm
Chemische Reinheit	99,99995 %
Wärmekapazität	640 J·kg-1·K-1
Sublimationstemperatur	2700℃
Biegefestigkeit	415 MPa RT 4-Punkt
Elastizitätsmodul	430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃
Wärmeleitfähigkeit	300W·m-1·K-1
Wärmeausdehnung (CTE)	4,5×10-6K-1

VeTek Halbleiterproduktionswerkstatt

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