VeTek Semiconductor ist ein führender Hersteller und Innovator von festen SiC-Kantenringen für chemische Gasphasenabscheidungsprozesse in China. Wir sind seit vielen Jahren auf Halbleitermaterialien spezialisiert. Der feste SiC-Kantenring von VeTek Semiconductor bietet eine verbesserte Ätzgleichmäßigkeit und eine präzise Waferpositionierung bei Verwendung mit einem elektrostatischen Spannfutter , um konsistente und zuverlässige Ätzergebnisse zu gewährleisten. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.
Der feste SiC-Kantenring mit chemischer Gasphasenabscheidung wird bei Trockenätzanwendungen eingesetzt, um die Prozesskontrolle zu verbessern und die Ätzergebnisse zu optimieren. Es spielt eine entscheidende Rolle bei der Lenkung und Begrenzung der Plasmaenergie während des Ätzprozesses und sorgt so für einen präzisen und gleichmäßigen Materialabtrag. Unser Fokussierring ist mit einer Vielzahl von Trockenätzsystemen kompatibel und eignet sich für verschiedene Ätzprozesse in allen Branchen.
CVD-Prozess massiver SiC-Kantenring:
● Material: Der Fokussierring besteht aus massivem SiC, einem hochreinen und leistungsstarken Keramikmaterial. Die Herstellung erfolgt unter anderem durch Hochtemperatursintern oder Kompaktieren von SiC-Pulvern. Das massive SiC-Material bietet außergewöhnliche Haltbarkeit, Hochtemperaturbeständigkeit und hervorragende mechanische Eigenschaften.
● Vorteile: Der CVD-SIC-Ring bietet eine hervorragende thermische Stabilität und behält seine strukturelle Integrität auch unter den Hochtemperaturbedingungen, die bei Trockenätzprozessen auftreten. Seine hohe Härte sorgt für Widerstandsfähigkeit gegenüber mechanischer Beanspruchung und Verschleiß und führt zu einer längeren Lebensdauer. Darüber hinaus weist festes SiC eine chemische Inertheit auf, die es vor Korrosion schützt und seine Leistung im Laufe der Zeit beibehält.
CVD-SiC-Beschichtung:
● Material: Bei der CVD-SiC-Beschichtung handelt es sich um eine Dünnfilmabscheidung von SiC mittels chemischer Gasphasenabscheidung (CVD). Die Beschichtung wird auf ein Substratmaterial wie Graphit oder Silizium aufgetragen, um der Oberfläche SiC-Eigenschaften zu verleihen.
● Vergleich: Obwohl CVD-SiC-Beschichtungen einige Vorteile bieten, wie z. B. eine konforme Abscheidung auf komplexen Formen und einstellbare Filmeigenschaften, können sie möglicherweise nicht mit der Robustheit und Leistung von massivem SiC mithalten. Die Beschichtungsdicke, die Kristallstruktur und die Oberflächenrauheit können je nach CVD-Prozessparametern variieren und sich möglicherweise auf die Haltbarkeit und Gesamtleistung der Beschichtung auswirken.
Zusammenfassend ist der solide SiC-Fokussierring von VeTek Semiconductor eine außergewöhnliche Wahl für Trockenätzanwendungen. Sein massives SiC-Material gewährleistet Hochtemperaturbeständigkeit, ausgezeichnete Härte und chemische Inertheit und macht es zu einer zuverlässigen und langlebigen Lösung. Während die CVD-SiC-Beschichtung Flexibilität bei der Abscheidung bietet, zeichnet sich der CVD-Sic-Ring durch die unübertroffene Haltbarkeit und Leistung aus, die für anspruchsvolle Trockenätzprozesse erforderlich sind.
Physikalische Eigenschaften von festem SiC | |||
Dichte | 3.21 | g/cm3 | |
Stromwiderstand | 102 | Ω/cm | |
Biegefestigkeit | 590 | MPa | (6000 kgf/cm2) |
Elastizitätsmodul | 450 | GPa | (6000 kgf/mm2) |
Vickers-Härte | 26 | GPa | (2650 kgf/mm2) |
C.T.E. (RT-1000℃) | 4.0 | x10-6/K | |
Wärmeleitfähigkeit (RT) | 250 | W/mK |