SiC-Duschkopf

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Siliziumkarbid-Materialien verfügen über eine einzigartige Kombination hervorragender thermischer, elektrischer und chemischer Eigenschaften und eignen sich daher ideal für Anwendungen in der Halbleiterindustrie, bei denen Hochleistungsmaterialien erforderlich sind.

Die revolutionäre Technologie von VeTek Semiconductor ermöglicht die Herstellung von SiC-Duschköpfen, einem hochreinen Siliziumkarbidmaterial, das durch chemische Gasphasenabscheidung hergestellt wird.

Der SiC-Duschkopf ist eine entscheidende Komponente in der Halbleiterfertigung und wurde speziell für MOCVD-Systeme, Siliziumepitaxie und SiC-Epitaxieprozesse entwickelt. Diese aus robustem massivem Siliziumkarbid (SiC) gefertigte Komponente hält den extremen Bedingungen der Plasmaverarbeitung und Hochtemperaturanwendungen stand.

Siliziumkarbid (SiC) ist für seine hohe Wärmeleitfähigkeit, chemische Korrosionsbeständigkeit und außergewöhnliche mechanische Festigkeit bekannt, was es zu einem idealen Material für SiC-Großkomponenten wie den SiC-Duschkopf macht. Der Gasduschkopf sorgt für eine gleichmäßige Verteilung der Prozessgase auf der Waferoberfläche, was für die Herstellung hochwertiger Epitaxieschichten unerlässlich ist. Fokusringe und Kantenringe, oft aus CVD-SiC hergestellt, sorgen für eine gleichmäßige Plasmaverteilung und schützen die Kammer vor Verunreinigungen, wodurch die Effizienz und Ausbeute des epitaktischen Wachstums erhöht wird.

Mit seiner präzisen Gasflusssteuerung und hervorragenden Materialeigenschaften ist der SiC-Duschkopf eine Schlüsselkomponente in der modernen Halbleiterverarbeitung und unterstützt fortschrittliche Anwendungen in der Siliziumepitaxie und SiC-Epitaxie.

VeTek Semiconductor bietet einen Duschkopf aus gesintertem Siliziumkarbid-Halbleiter mit niedrigem Widerstand an. Wir sind in der Lage, fortschrittliche Keramikmaterialien kundenspezifisch zu entwickeln und zu liefern und nutzen dabei eine Vielzahl einzigartiger Fähigkeiten.

Produktparameter des SiC-Duschkopfs:

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