VeTek Semiconductor ist ein führender Hersteller und Innovator von festen SiC-Ätzfokussierungsringen in China. Wir sind seit vielen Jahren auf SiC-Material spezialisiert. Festes SiC wird aufgrund seiner hervorragenden thermochemischen Stabilität, hohen mechanischen Festigkeit und Plasmabeständigkeit als Fokussierungsringmaterial ausgewählt Erosion. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.
Sie können sicher sein, dass Sie in unserer Fabrik einen Solid SiC Etching Focusing Ring kaufen. Die revolutionäre Technologie von VeTek Semiconductor ermöglicht die Herstellung von Solid SiC Etching Focusing Ring, einem ultrahochreinen Siliziumkarbidmaterial, das durch den Prozess der chemischen Gasphasenabscheidung hergestellt wird.
Der Fokussierring zum Ätzen aus massivem SiC wird in Halbleiterfertigungsprozessen, insbesondere in Plasmaätzsystemen, verwendet. Der solide SiC-Ätzfokussierungsring ist eine entscheidende Komponente, die dabei hilft, ein präzises und kontrolliertes Ätzen von Siliziumkarbid (SiC)-Wafern zu erreichen.
1. Fokussierung des Plasmas: Der solide SiC-Ätzfokussierungsring hilft dabei, das Plasma um den Wafer herum zu formen und zu konzentrieren und stellt so sicher, dass der Ätzprozess gleichmäßig und effizient abläuft. Es hilft dabei, das Plasma auf den gewünschten Bereich zu beschränken und verhindert so Streuätzungen oder Schäden an den umliegenden Regionen.
2. Schutz der Kammerwände: Der Fokussierring fungiert als Barriere zwischen dem Plasma und den Kammerwänden und verhindert so direkten Kontakt und mögliche Schäden. SiC ist äußerst beständig gegen Plasmaerosion und bietet einen hervorragenden Schutz für die Kammerwände.
3. Temperaturkontrolle: Der Fokussierungsring trägt dazu bei, während des Ätzvorgangs eine gleichmäßige Temperaturverteilung über den Wafer aufrechtzuerhalten. Es trägt zur Wärmeableitung bei und verhindert lokale Überhitzung oder Temperaturgradienten, die die Ätzergebnisse beeinträchtigen könnten.
Aufgrund seiner hervorragenden thermischen und chemischen Stabilität, hohen mechanischen Festigkeit und Beständigkeit gegen Plasmaerosion wird für Fokussierungsringe festes SiC ausgewählt. Diese Eigenschaften machen SiC zu einem geeigneten Material für die rauen und anspruchsvollen Bedingungen in Plasmaätzanlagen.
Es ist zu beachten, dass das Design und die Spezifikationen von Fokussierungsringen je nach dem spezifischen Plasmaätzsystem und den Prozessanforderungen variieren können. VeTek Semiconductor optimiert die Form, Abmessungen und Oberflächeneigenschaften von Fokussierungsringen, um eine optimale Ätzleistung und Langlebigkeit zu gewährleisten. Festes SiC wird häufig für Waferträger, Suszeptoren, Dummy-Wafer, Führungsringe, Teile für Ätzprozesse, CVD-Prozesse usw. verwendet.
Physikalische Eigenschaften von festem SiC | |||
Dichte | 3.21 | g/cm3 | |
Stromwiderstand | 102 | Ω/cm | |
Biegefestigkeit | 590 | MPa | (6000 kgf/cm2) |
Elastizitätsmodul | 450 | GPa | (6000 kgf/mm2) |
Vickers-Härte | 26 | GPa | (2650 kgf/mm2) |
C.T.E. (RT-1000℃) | 4.0 | x10-6/K | |
Wärmeleitfähigkeit (RT) | 250 | W/mK |