VeTek Semiconductor ist ein führender Hersteller und Innovator von Fest-SiC-Gasduschköpfen in China. Wir sind seit vielen Jahren auf Halbleitermaterialien spezialisiert. Das Multiporositätsdesign von VeTek Semiconductor Fest-SiC-Gasduschköpfen stellt sicher, dass die im CVD-Prozess erzeugte Wärme verteilt werden kann Dadurch wird sichergestellt, dass das Substrat gleichmäßig erhitzt wird. Wir freuen uns darauf, eine langfristige Zusammenarbeit mit Ihnen in China aufzubauen.
VeTek Semiconductor ist ein integriertes Unternehmen, das sich auf Forschung, Produktion und Vertrieb konzentriert. Mit über 20 Jahren Erfahrung ist unser Team auf SiC-, TaC-Beschichtungen und CVD Solid SiC spezialisiert. Willkommen beim Kauf eines soliden SiC-Gasduschkopfs bei uns.
VeTek Semiconductor Solid SiC-Gasduschköpfe werden üblicherweise zur gleichmäßigen Verteilung von Vorläufergasen auf der Substratoberfläche bei Halbleiter-CVD-Prozessen verwendet. Die Verwendung von CVD-SiC-Material für Duschköpfe bietet mehrere Vorteile. Seine hohe Wärmeleitfähigkeit trägt dazu bei, die beim CVD-Prozess entstehende Wärme abzuleiten und sorgt so für eine gleichmäßige Temperaturverteilung auf dem Substrat. Darüber hinaus ermöglicht die chemische Stabilität des CVD-Duschkopfs, dass er korrosiven Gasen und rauen Umgebungen standhält, die üblicherweise bei CVD-Prozessen auftreten.
Das Design von CVD-SiC-Duschköpfen kann auf spezifische CVD-Systeme und Prozessanforderungen zugeschnitten werden. Typischerweise bestehen sie jedoch aus einer platten- oder scheibenförmigen Komponente mit einer Reihe präzisionsgebohrter Löcher oder Schlitze. Das Lochmuster und die Geometrie sind sorgfältig entworfen, um eine gleichmäßige Gasverteilung und Strömungsgeschwindigkeit über die Substratoberfläche sicherzustellen.
Physikalische Eigenschaften von festem SiC | |||
Dichte | 3.21 | g/cm3 | |
Stromwiderstand | 102 | Ω/cm | |
Biegefestigkeit | 590 | MPa | (6000 kgf/cm2) |
Elastizitätsmodul | 450 | GPa | (6000 kgf/mm2) |
Vickers-Härte | 26 | GPa | (2650 kgf/mm2) |
C.T.E. (RT-1000℃) | 4.0 | x10-6/K | |
Wärmeleitfähigkeit (RT) | 250 | W/mK |