CVD-SiC-beschichteter Rock

VeTek Semiconductor ist ein führender Hersteller, Innovator und Marktführer für CVD-SiC-Beschichtung und TAC-Beschichtung in China. Seit vielen Jahren konzentrieren wir uns auf verschiedene CVD-SiC-Beschichtungsprodukte wie CVD-SiC-beschichtete Röcke, CVD-SiC-Beschichtungsringe, CVD-SiC-Beschichtungsträger usw. VeTek Semiconductor unterstützt maßgeschneiderte Produktdienstleistungen und zufriedenstellende Produktpreise und freut sich auf Ihre weitere Zusammenarbeit Beratung.

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Produktbeschreibung

Vetek Semiconductor ist ein professioneller Hersteller von CVD-SiC-beschichteten Röcken in China.

Die Tief-Ultraviolett-Epitaxietechnologie von Aixtron-Geräten spielt eine entscheidende Rolle in der Halbleiterfertigung. Bei dieser Technologie werden mithilfe einer Lichtquelle im tiefen Ultraviolett durch epitaktisches Wachstum verschiedene Materialien auf der Oberfläche des Wafers abgeschieden, um eine präzise Steuerung der Leistung und Funktion des Wafers zu erreichen. Die Epitaxietechnologie im tiefen Ultraviolett wird in einem breiten Anwendungsspektrum eingesetzt und umfasst die Herstellung verschiedener elektronischer Geräte, von LEDs bis hin zu Halbleiterlasern.

In diesem Prozess spielt der CVD-SiC-beschichtete Mantel eine Schlüsselrolle. Es dient dazu, die Epitaxieschicht zu stützen und sie in Rotation zu versetzen, um Gleichmäßigkeit und Stabilität während des Epitaxiewachstums sicherzustellen. Durch die präzise Steuerung der Rotationsgeschwindigkeit und -richtung des Graphitsuszeptors kann der Wachstumsprozess des Epitaxieträgers genau gesteuert werden.

Das Produkt besteht aus einer hochwertigen Graphit- und Siliziumkarbidbeschichtung, die eine hervorragende Leistung und lange Lebensdauer gewährleistet. Das importierte Graphitmaterial gewährleistet die Stabilität und Zuverlässigkeit des Produkts, sodass es in einer Vielzahl von Arbeitsumgebungen gute Leistungen erbringen kann. Bei der Beschichtung wird ein Siliziumkarbidmaterial mit weniger als 5 ppm verwendet, um die Gleichmäßigkeit und Stabilität der Beschichtung zu gewährleisten. Gleichzeitig passen das neue Verfahren und der Wärmeausdehnungskoeffizient des Graphitmaterials gut zusammen und verbessern die Hochtemperaturbeständigkeit und Thermoschockbeständigkeit des Produkts, sodass es auch in Umgebungen mit hohen Temperaturen eine stabile Leistung aufrechterhalten kann.

Grundlegende physikalische Eigenschaften von CVD-SiC-beschichteten Röcken:

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung
Eigentum	Typischer Wert
Kristallstruktur	Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert
Dichte	3,21 g/cm³
Härte	2500 Vickers-Härte (500 g Belastung)
Körnung	2~10μm
Chemische Reinheit	99,99995 %
Wärmekapazität	640 J·kg-1·K-1
Sublimationstemperatur	2700℃
Biegefestigkeit	415 MPa RT 4-Punkt
Elastizitätsmodul	430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃
Wärmeleitfähigkeit	300W·m-1·K-1
Wärmeausdehnung (CTE)	4,5×10-6K-1

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