CVD-SiC-Beschichtungsdüse
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CVD-SiC-Beschichtungsdüse

Die CVD-SiC-Beschichtungsdüsen von Vetek Semiconductor sind entscheidende Komponenten, die im LPE-SiC-Epitaxieprozess zur Abscheidung von Siliziumkarbidmaterialien während der Halbleiterherstellung verwendet werden. Diese Düsen bestehen typischerweise aus hochtemperaturbeständigem und chemisch stabilem Siliziumkarbidmaterial, um Stabilität in rauen Verarbeitungsumgebungen zu gewährleisten. Sie sind für eine gleichmäßige Abscheidung konzipiert und spielen eine Schlüsselrolle bei der Kontrolle der Qualität und Gleichmäßigkeit der in Halbleiteranwendungen gewachsenen Epitaxieschichten. Wir freuen uns auf eine langfristige Zusammenarbeit mit Ihnen.

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Produktbeschreibung

VeTek Semiconductor ist ein spezialisierter Hersteller von CVD-SiC-Beschichtungszubehör für Epitaxiegeräte wie CVD-SiC-Beschichtungshalbmondteile und deren Zubehör für CVD-SiC-Beschichtungsdüsen. Willkommen bei uns.


PE1O8 ist ein vollautomatisches Kartuschen-zu-Kartuschen-System, das für die Handhabung entwickelt wurdeSiC-Waferbis zu 200mm. Das Format kann zwischen 150 und 200 mm umgeschaltet werden, wodurch Werkzeugstillstandszeiten minimiert werden. Die Reduzierung der Heizstufen erhöht die Produktivität, während die Automatisierung den Arbeitsaufwand reduziert und die Qualität und Wiederholbarkeit verbessert. Um einen effizienten und wettbewerbsfähigen Epitaxieprozess zu gewährleisten, werden drei Hauptfaktoren genannt: 


● schneller Prozess;

●  hohe Gleichmäßigkeit der Dicke und Dotierung;

●  Minimierung der Defektbildung während des Epitaxieprozesses. 


Beim PE1O8 ermöglichen die geringe Graphitmasse und das automatische Lade-/Entladesystem, dass ein Standardlauf in weniger als 75 Minuten abgeschlossen werden kann (die standardmäßige 10-μm-Schottky-Diodenformulierung verwendet eine Wachstumsrate von 30 μm/h). Das automatische System ermöglicht das Be- und Entladen bei hohen Temperaturen. Dadurch sind die Aufheiz- und Abkühlzeiten kurz, während der Backschritt verhindert wird. Diese ideale Bedingung ermöglicht das Wachstum von echten undotierten Materialien.


Im Prozess der Siliziumkarbid-Epitaxie spielen CVD-SiC-Beschichtungsdüsen eine entscheidende Rolle für das Wachstum und die Qualität epitaktischer Schichten. Hier ist die ausführliche Erklärung der Rolle von Düsen inSiliziumkarbid-Epitaxie:


CVD SiC Coating Nozzle working diagram

● Gasversorgung und -steuerung: Düsen werden verwendet, um das während der Epitaxie erforderliche Gasgemisch zuzuführen, einschließlich Silizium-Quellengas und Kohlenstoff-Quellengas. Durch die Düsen können Gasfluss und -verhältnisse präzise gesteuert werden, um ein gleichmäßiges Wachstum der Epitaxieschicht und die gewünschte chemische Zusammensetzung sicherzustellen.


● Temperaturkontrolle: Düsen helfen auch bei der Kontrolle der Temperatur im Epitaxiereaktor. Bei der Siliziumkarbid-Epitaxie ist die Temperatur ein entscheidender Faktor, der die Wachstumsrate und die Kristallqualität beeinflusst. Durch die Bereitstellung von Wärme oder Kühlgas durch die Düsen kann die Wachstumstemperatur der Epitaxieschicht für optimale Wachstumsbedingungen angepasst werden.


● Gasflussverteilung: Die Gestaltung der Düsen beeinflusst die gleichmäßige Gasverteilung im Reaktor. Eine gleichmäßige Gasflussverteilung gewährleistet die Gleichmäßigkeit der Epitaxieschicht und eine gleichbleibende Dicke und vermeidet Probleme im Zusammenhang mit Ungleichmäßigkeiten der Materialqualität.


● Vermeidung von Verunreinigungen: Die richtige Gestaltung und Verwendung von Düsen kann dazu beitragen, eine Verunreinigung durch Verunreinigungen während des Epitaxieprozesses zu verhindern. Ein geeignetes Düsendesign minimiert die Wahrscheinlichkeit, dass externe Verunreinigungen in den Reaktor gelangen, und gewährleistet so die Reinheit und Qualität der Epitaxieschicht.


CVD-SIC-BESCHICHTUNGSFILM-KRISTALLSTRUKTUR:


CVD SIC COATING FILM CRYSTAL STRUCTURE


Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung:


Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung
Eigentum Typischer Wert
Kristallstruktur Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert
Dichte der SiC-Beschichtung 3,21 g/cm³
Härte 2500 Vickers-Härte (500 g Belastung)
Körnung 2~10μm
Chemische Reinheit 99,99995 %
Wärmekapazität 640 J·kg-1·K-1
Sublimationstemperatur 2700℃
Biegefestigkeit 415 MPa RT 4-Punkt
Elastizitätsmodul 430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃
Wärmeleitfähigkeit 300W·m-1·K-1
Wärmeausdehnung (CTE) 4,5×10-6K-1


VeTekSemCVD-SiC-BeschichtungsdüsenProduktionsstätten:


Graphite epitaxial substrateSemiconductor EquipmentGraphite ring assemblySemiconductor process equipment

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