CVD-SiC-Beschichtungsdüse

VeTek Semiconductor ist ein spezialisierter Hersteller von CVD-SiC-Beschichtungszubehör für Epitaxiegeräte wie CVD-SiC-Beschichtungshalbmondteile und deren Zubehör für CVD-SiC-Beschichtungsdüsen. Willkommen bei uns.

PE1O8 ist ein vollautomatisches Kartuschen-zu-Kartuschen-System, das für die Verarbeitung von SiC-Wafern bis zu 200 mm ausgelegt ist. Das Format kann zwischen 150 und 200 mm umgeschaltet werden, wodurch Werkzeugstillstandszeiten minimiert werden. Die Reduzierung der Heizstufen erhöht die Produktivität, während die Automatisierung den Arbeitsaufwand reduziert und die Qualität und Wiederholbarkeit verbessert. Um einen effizienten und wettbewerbsfähigen Epitaxieprozess zu gewährleisten, werden drei Hauptfaktoren genannt: 1) schneller Prozess, 2) hohe Gleichmäßigkeit von Dicke und Dotierung und 3) Minimierung der Defektbildung während des Epitaxieprozesses. Beim PE1O8 ermöglichen die geringe Graphitmasse und das automatische Lade-/Entladesystem, dass ein Standardlauf in weniger als 75 Minuten abgeschlossen werden kann (die standardmäßige 10-μm-Schottky-Diodenformulierung verwendet eine Wachstumsrate von 30 μm/h). Das automatische System ermöglicht das Be- und Entladen bei hohen Temperaturen. Dadurch sind die Aufheiz- und Abkühlzeiten kurz, während der Backschritt verhindert wird. Diese ideale Bedingung ermöglicht das Wachstum von echten undotierten Materialien.

Im Prozess der Siliziumkarbid-Epitaxie spielen CVD-SiC-Beschichtungsdüsen eine entscheidende Rolle für das Wachstum und die Qualität epitaktischer Schichten. Hier ist die ausführliche Erklärung der Rolle von Düsen bei der Siliziumkarbid-Epitaxie:

Gasversorgung und -steuerung: Düsen werden verwendet, um das während der Epitaxie erforderliche Gasgemisch zuzuführen, einschließlich Silizium-Quellengas und Kohlenstoff-Quellengas. Durch die Düsen können Gasfluss und -verhältnisse präzise gesteuert werden, um ein gleichmäßiges Wachstum der Epitaxieschicht und die gewünschte chemische Zusammensetzung sicherzustellen.

Temperaturkontrolle: Düsen helfen auch bei der Kontrolle der Temperatur im Epitaxiereaktor. Bei der Siliziumkarbid-Epitaxie ist die Temperatur ein entscheidender Faktor, der die Wachstumsrate und die Kristallqualität beeinflusst. Durch die Bereitstellung von Wärme oder Kühlgas durch die Düsen kann die Wachstumstemperatur der Epitaxieschicht für optimale Wachstumsbedingungen angepasst werden.

Gasströmungsverteilung: Die Gestaltung der Düsen beeinflusst die gleichmäßige Gasverteilung im Reaktor. Eine gleichmäßige Gasflussverteilung gewährleistet die Gleichmäßigkeit der Epitaxieschicht und eine gleichbleibende Dicke und vermeidet Probleme im Zusammenhang mit Ungleichmäßigkeiten der Materialqualität.

Verhinderung einer Verunreinigung durch Verunreinigungen: Die richtige Gestaltung und Verwendung von Düsen kann dazu beitragen, eine Verunreinigung durch Verunreinigungen während des Epitaxieprozesses zu verhindern. Ein geeignetes Düsendesign minimiert die Wahrscheinlichkeit, dass externe Verunreinigungen in den Reaktor gelangen, und gewährleistet so die Reinheit und Qualität der Epitaxieschicht.

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung:

Produktionsstätten:

Überblick über die Industriekette der Halbleiterchip-Epitaxie: