Siliziumkarbid-Epitaxie-Wafer-Träger

VeTek Semiconductor ist ein führender Anbieter von kundenspezifischen Siliziumkarbid-Epitaxie-Waferträgern in China. Wir sind seit mehr als 20 Jahren auf fortschrittliche Materialien spezialisiert. Wir bieten einen Siliziumkarbid-Epitaxie-Waferträger für den Transport von SiC-Substrat und das Wachstum einer SiC-Epitaxieschicht im SiC-Epitaxiereaktor an. Dieser Siliziumkarbid-Epitaxie-Waferträger ist ein wichtiger SiC-beschichteter Teil des Halbmondteils, hohe Temperaturbeständigkeit, Oxidationsbeständigkeit und Verschleißfestigkeit. Wir heißen Sie herzlich willkommen, unsere Fabrik in China zu besuchen.

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Produktbeschreibung

Als professioneller Hersteller möchten wir Ihnen hochwertige Siliziumkarbid-Epitaxie-Waferträger anbieten.

VeTek Semiconductor Siliziumkarbid-Epitaxie-Waferträger sind speziell für die SiC-Epitaxiekammer konzipiert. Sie haben ein breites Anwendungsspektrum und sind mit verschiedenen Gerätemodellen kompatibel.

Anwendungsszenario:

Siliziumkarbid-Epitaxie-Waferträger von VeTek Semiconductor werden hauptsächlich im Wachstumsprozess von SiC-Epitaxieschichten verwendet. Diese Zubehörteile werden im Inneren des SiC-Epitaxiereaktors platziert, wo sie in direkten Kontakt mit SiC-Substraten kommen. Die entscheidenden Parameter für Epitaxieschichten sind die Dicke und die Gleichmäßigkeit der Dotierungskonzentration. Daher beurteilen wir die Leistung und Kompatibilität unseres Zubehörs anhand von Daten wie Filmdicke, Trägerkonzentration, Gleichmäßigkeit und Oberflächenrauheit.

Verwendung:

Abhängig von der Ausrüstung und dem Prozess können unsere Produkte eine Epitaxieschichtdicke von mindestens 5000 µm in einer 6-Zoll-Halbmondkonfiguration erreichen. Dieser Wert dient als Referenz und die tatsächlichen Ergebnisse können variieren.

Kompatible Gerätemodelle:

Die mit Siliziumkarbid beschichteten Graphitteile von VeTek Semiconductor sind mit verschiedenen Gerätemodellen kompatibel, darunter LPE, NAURA, JSG, CETC, NASO TECH und andere.

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung:

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung
Eigentum	Typischer Wert
Kristallstruktur	Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert
Dichte	3,21 g/cm³
Härte	2500 Vickers-Härte (500 g Belastung)
Körnung	2~10μm
Chemische Reinheit	99,99995 %
Wärmekapazität	640 J·kg-1·K-1
Sublimationstemperatur	2700℃
Biegefestigkeit	415 MPa RT 4-Punkt
Elastizitätsmodul	430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃
Wärmeleitfähigkeit	300W·m-1·K-1
Wärmeausdehnung (CTE)	4,5×10-6K-1

VeTek Halbleiterproduktionswerkstatt

Überblick über die Industriekette der Halbleiterchip-Epitaxie:

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