GaN-Epitaxial-Graphit-Suszeptor für G5

VeTek Semiconductor ist ein professioneller Hersteller und Lieferant von GaN-Epitaxialgraphit-Suszeptoren für G5 in China. Der GaN-Epitaxial-Graphit-Suszeptor für G5 ist eine entscheidende Komponente, die im Aixtron G5-System zur metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung (MOCVD) für das Wachstum hochwertiger dünner Galliumnitridfilme (GaN) verwendet wird. Er spielt eine entscheidende Rolle bei der Gewährleistung einer gleichmäßigen Temperatur Verteilung, effiziente Wärmeübertragung und minimale Kontamination während des Wachstumsprozesses.

Hauptmerkmale des GaN-Epitaxialgraphit-Suszeptors von VeTek Semiconductor für G5:

-Hohe Reinheit: Der Suszeptor besteht aus hochreinem Graphit mit CVD-Beschichtung, wodurch die Kontamination der wachsenden GaN-Filme minimiert wird.

-Ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit: Die hohe Wärmeleitfähigkeit von Graphit (150–300 W/(m·K)) gewährleistet eine gleichmäßige Temperaturverteilung über den Suszeptor und führt zu einem gleichmäßigen Wachstum des GaN-Films.

-Geringe Wärmeausdehnung: Der niedrige Wärmeausdehnungskoeffizient des Suszeptors minimiert thermische Spannungen und Risse während des Hochtemperaturwachstumsprozesses.

-Chemische Inertheit: Graphit ist chemisch inert und reagiert nicht mit den GaN-Vorläufern, wodurch unerwünschte Verunreinigungen in den gewachsenen Filmen verhindert werden.

-Kompatibilität mit Aixtron G5: Der Suszeptor wurde speziell für den Einsatz im Aixtron G5 MOCVD-System entwickelt und gewährleistet die richtige Passform und Funktionalität.

Anwendungen:

LEDs mit hoher Helligkeit: GaN-basierte LEDs bieten einen hohen Wirkungsgrad und eine lange Lebensdauer und eignen sich daher ideal für Allgemeinbeleuchtung, Automobilbeleuchtung und Displayanwendungen.

Hochleistungstransistoren: GaN-Transistoren bieten eine überlegene Leistung in Bezug auf Leistungsdichte, Effizienz und Schaltgeschwindigkeit und eignen sich daher für Anwendungen in der Leistungselektronik.

Laserdioden: GaN-basierte Laserdioden bieten eine hohe Effizienz und kurze Wellenlängen und eignen sich daher ideal für optische Speicher- und Kommunikationsanwendungen.

Produktparameter des GaN-Epitaxial-Graphit-Suszeptors für G5

Hinweis: Vor dem Beschichten führen wir eine erste Reinigung durch, nach dem Beschichten führen wir eine zweite Reinigung durch.

VeTek Halbleiterproduktionswerkstatt