Oberer Halbmondteil SiC-beschichtet

VeTek Semiconductor ist ein führender Anbieter von kundenspezifischen SiC-beschichteten oberen Halbmondteilen in China und seit über 20 Jahren auf fortschrittliche Materialien spezialisiert. Das mit SiC beschichtete obere Halbmondteil von VeTek Semiconductor wurde speziell für SiC-Epitaxiegeräte entwickelt und dient als entscheidende Komponente in der Reaktionskammer. Es besteht aus hochreinem Graphit in Halbleiterqualität und gewährleistet eine hervorragende Leistung. Wir laden Sie ein, unsere Fabrik in China zu besuchen.

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Produktbeschreibung

Als professioneller Hersteller möchten wir Ihnen hochwertige SiC-beschichtete Oberhalbmondteile anbieten.

Das mit SiC beschichtete obere Halbmondteil von VeTek Semiconductor wurde speziell für die SiC-Epitaxiekammer entwickelt. Sie haben ein breites Anwendungsspektrum und sind mit verschiedenen Gerätemodellen kompatibel.

Anwendungsszenario:

Bei VeTek Semiconductor sind wir auf die Herstellung hochwertiger SiC-beschichteter oberer Halbmondteile spezialisiert. Unsere SiC- und TaC-beschichteten Produkte wurden speziell für SiC-Epitaxiekammern entwickelt und bieten eine breite Kompatibilität mit verschiedenen Gerätemodellen.

Der mit SiC beschichtete obere Halbmondteil von VeTek Semiconductor dient als Komponenten in der SiC-Epitaxiekammer. Sie sorgen für kontrollierte Temperaturbedingungen und indirekten Kontakt mit den Wafern und halten den Verunreinigungsgehalt unter 5 ppm.

Um eine optimale Qualität der Epitaxieschicht sicherzustellen, überwachen wir sorgfältig kritische Parameter wie Dicke und Gleichmäßigkeit der Dotierungskonzentration. Unsere Bewertung umfasst die Analyse von Filmdicke, Trägerkonzentration, Gleichmäßigkeit und Oberflächenrauheitsdaten, um eine optimale Produktqualität zu erzielen.

Das SiC-beschichtete obere Halbmondteil von VeTek Semiconductor ist mit verschiedenen Gerätemodellen kompatibel, darunter LPE, NAURA, JSG, CETC, NASO TECH und mehr.

Kontaktieren Sie uns noch heute, um unser hochwertiges oberes Halbmondteil mit SiC-Beschichtung zu erkunden, oder vereinbaren Sie einen Besuch in unserer Fabrik.

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung:

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung
Eigentum	Typischer Wert
Kristallstruktur	Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert
Dichte	3,21 g/cm³
Härte	2500 Vickers-Härte (500 g Belastung)
Körnung	2~10μm
Chemische Reinheit	99,99995 %
Wärmekapazität	640 J·kg-1·K-1
Sublimationstemperatur	2700℃
Biegefestigkeit	415 MPa RT 4-Punkt
Elastizitätsmodul	430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃
Wärmeleitfähigkeit	300W·m-1·K-1
Wärmeausdehnung (CTE)	4,5×10-6K-1

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Überblick über die Industriekette der Halbleiterchip-Epitaxie:

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