VeTek Semiconductor ist ein führender Anbieter von maßgeschneiderten unteren Halbmonden aus ultrareinem Graphit in China und seit vielen Jahren auf fortschrittliche Materialien spezialisiert. Unser unterer Halbmond aus ultrareinem Graphit wurde speziell für SiC-Epitaxiegeräte entwickelt und gewährleistet eine hervorragende Leistung. Es besteht aus hochreinem importiertem Graphit und bietet Zuverlässigkeit und Haltbarkeit. Besuchen Sie unsere Fabrik in China, um unseren hochwertigen Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon aus erster Hand zu erkunden.
VeTek Semiconductor ist ein professioneller Hersteller, der sich der Bereitstellung von Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon widmet. Unsere Produkte Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon sind speziell für SiC-Epitaxiekammern konzipiert und bieten überragende Leistung und Kompatibilität mit verschiedenen Gerätemodellen.
Merkmale:
Verbindung: Der untere Halbmond aus ultrareinem Graphit von VeTek Semiconductor ist für die Verbindung mit Quarzrohren konzipiert und erleichtert den Gasfluss, um die Rotation der Trägerbasis anzutreiben.
Temperaturkontrolle: Das Produkt ermöglicht eine Temperaturkontrolle und sorgt so für optimale Bedingungen in der Reaktionskammer.
Berührungsloses Design: Unser in der Reaktionskammer installierter unterer Halbmond aus ultrareinem Graphit berührt die Wafer nicht direkt und gewährleistet so die Integrität des Prozesses.
Anwendungsszenario:
Unser unterer Halbmond aus ultrareinem Graphit dient als kritische Komponente in SiC-Epitaxiekammern, wo er dazu beiträgt, den Verunreinigungsgehalt unter 5 ppm zu halten. Durch die genaue Überwachung von Parametern wie Dicke und Gleichmäßigkeit der Dotierungskonzentration stellen wir Epitaxieschichten höchster Qualität sicher.
Kompatibilität:
Der Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon von VeTek Semiconductor ist mit einer Vielzahl von Gerätemodellen kompatibel, darunter LPE, NAURA, JSG, CETC, NASO TECH und so weiter.
Wir laden Sie ein, unsere Fabrik in China zu besuchen, um unseren hochwertigen Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon aus erster Hand zu erkunden.
Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung | |
Eigentum | Typischer Wert |
Kristallstruktur | Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert |
Dichte | 3,21 g/cm³ |
Härte | 2500 Vickers-Härte (500 g Belastung) |
Körnung | 2~10μm |
Chemische Reinheit | 99,99995 % |
Wärmekapazität | 640 J·kg-1·K-1 |
Sublimationstemperatur | 2700℃ |
Biegefestigkeit | 415 MPa RT 4-Punkt |
Elastizitätsmodul | 430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃ |
Wärmeleitfähigkeit | 300W·m-1·K-1 |
Wärmeausdehnung (CTE) | 4,5×10-6K-1 |